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最新专利技术
  • IGBT器件及其制备方法
    IGBT器件及其制备方法_江苏宏微科技股份有限公司_202511904173.0
    本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种IGBT器件及其制备方法。本发明的IGBT器件的栅极沟槽的下部的外周设置有浮置N型区；所述浮置N型区的两侧的上端分别连接P型体区和浮置P区；以及所述浮置N型区的外周设置有浮置P型区。本发明的IGBT...
    2026-03-25
  • 一种集成门极换流晶闸管及其制备方法
    一种集成门极换流晶闸管及其制备方法_深圳吉华微特电子有限公司_202511723090.1
    本公开涉及半导体领域，提供一种集成门极换流晶闸管及其制备方法，至少可以解决关断软化、过冲控制、工艺窗口与高温稳定性方面的问题。制备方法包括：提供基底；形成初始缓冲层，初始缓冲层位于基底上；对初始缓冲层进行氢注入工艺以得到缓冲层前躯体，氢注入...
    2026-03-25
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北京知识产权运营管理有限公司_202411223612.7
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括相互垂直的x方向和y方向，所述半导体衬底包括沿y方向排列的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域的半导体衬底上分别形成有若干沿x方向延伸的鳍片；VFET...
    2026-03-25
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411231025.2
    本发明涉及一种半导体器件及其形成方法。该形成方法中，在包括多晶硅栅极、第一侧墙及源/漏区的半导体结构上依次形成第二侧墙材料层和牺牲材料层，先进行平坦化工艺再刻蚀，使多晶硅栅极顶部形成倒U形暴露面，第一侧墙高度降低形成第一矮侧墙，之后刻蚀第二...
    2026-03-25
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411233850.6
    本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。该制作方法中，在包括多晶硅栅极、第一侧墙及源/漏区的半导体结构上依次形成第二侧墙材料层和牺牲材料层，先进行平坦化工艺再刻蚀，在栅极顶部形成倒U形暴露面，之后去除牺牲材料层并同时去除部分第一侧墙而形成空气...
    2026-03-25
  • 晶体管的制作方法以及晶体管
    晶体管的制作方法以及晶体管_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511506163.1
    本公开实施例提供了一种晶体管的制作方法以及晶体管，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供HEMT场板的前端结构，所述前端结构包括SiN层以及形成于所述SiN层之上且已图形化的光刻胶掩模层；通过腐蚀液对所述前端结构进行腐蚀，其中，所述腐蚀...
    2026-03-25
  • 基于准单晶钝化的低表面陷阱态GaN HEMT器件及其制备方法
    基于准单晶钝化的低表面陷阱态GaN HEMT器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511733426.2
    本发明公开了一种基于准单晶钝化的低表面陷阱态GaN HEMT器件及其制备方法。该制备方法，包括：在衬底层上依次形成成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；在间隙区，形成准单晶钝化层，准单晶钝化层与势垒层的上界面直接接触；间隙区包括源极区与栅极区之间...
    2026-03-25
  • 一种LDMOS的制备方法及LDMOS器件
    一种LDMOS的制备方法及LDMOS器件_杭州富芯半导体有限公司_202511794480.8
    本申请公开了一种LDMOS的制备方法及LDMOS器件，所述LDMOS的制备方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成一LDMOS器件区域；在形成有所述LDMOS器件区域上形成氧化层；在所述对应于源极区、漏极区之间区域的氧化层上形成栅极...
    2026-03-25
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202511947226.7
    提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。以与包含呈现半导体特性的金属氧化物的半导体层的底面接触的方式设置包含氧化物的岛状绝缘层。包含氧化物的绝缘层以与成为半导体层的沟道形成区域的部分接触的方式设置，且不设置在成为低电...
    2026-03-25
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_苏州晶湛半导体有限公司_202411237855.6
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括层叠设置的衬底、沟道层以及势垒层；钝化层，位于势垒层远离衬底一侧的非栅极区域；P型层，位于势垒层远离衬底一侧的栅极区域，且延伸至势垒层中；间隔层，至少位于P型层和钝化层之间。本公开延伸至...
    2026-03-25
  • 一种可控的晶圆级二维电子气结构及制备方法
    一种可控的晶圆级二维电子气结构及制备方法_北京大学_202411287212.2
    本发明公开了一种可控的晶圆级二维电子气结构及制备方法，所述结构采用键合结构，包括：上层结构和下层结构；所述上层结构，包括上层蓝宝石晶圆、氮化铝外延层；所述下层结构，包括氮化铝外延层、下层蓝宝石晶圆。该键合工艺利用表面重结晶实现了原子尺度上的...
    2026-03-25
  • 一种外延结构及其制备方法和半导体器件
    一种外延结构及其制备方法和半导体器件_华为技术有限公司_202411295972.8
    本申请提供了一种外延结构及其制备方法和半导体器件。该外延结构包括衬底和依次层叠设置在其一侧的成核层、高阻缓冲层和沟道层，该高阻缓冲层包括交替层叠于成核层上的第一Ⅲ族氮化物层和第二Ⅲ族氮化物层，且第二Ⅲ族氮化物层的总层数n≥2；其中，第一Ⅲ族...
    2026-03-25
  • 极化超结场效应晶体管和电气设备
    极化超结场效应晶体管和电气设备_三垦电气株式会社_202511226612.7
    提供极化超结场效应晶体管和电气设备。极化超结场效应晶体管具有第一未掺杂GaN层(11)、AlxGa1‑xN层(12)(0.17≤x≤0.35)、第二未掺杂GaN层(13)、p型GaN层(15)、AlxGa1‑xN层与第二未掺杂GaN层之间的...
    2026-03-25
  • 一种具有渐变背势垒和δ掺杂工程的GaAs pHEMT半导体器件
    一种具有渐变背势垒和δ掺杂工程的GaAs pHEMT半导体器件_四川大学锦江学院_202511853358.3
    本发明公开了一种具有渐变背势垒和δ掺杂工程的GaAs pHEMT半导体器件，包括GaAs衬底，设置于所述GaAs衬底上的缓冲层；缓冲层上的背势垒层；背势垒层上的沟道层；沟道层上方的上势垒层；势垒层上方的GaAs盖层；以及在器件表面形成的源极...
    2026-03-25
  • AlGaN器件的外延结构及其制备方法
    AlGaN器件的外延结构及其制备方法_广东省科学院半导体研究所_202511979584.6
    本发明公开一种AlGaN器件的外延结构及其制备方法，其中，AlGaN器件的外延结构包括在表面具有近平行的条状周期性形貌的势垒层上外延生长的p型AlGaN帽层；p型AlGaN帽层具有近锯齿形宏台阶形貌，且p型AlGaN帽层的宏台阶的台面上的A...
    2026-03-25
  • 晶体管结构及其形成方法
    晶体管结构及其形成方法_上海复旦微电子集团股份有限公司_202411245395.1
    一种晶体管结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成栅极结构；在栅极结构侧壁形成侧墙；在栅极结构两侧的衬底内形成源漏掺杂层；在源漏掺杂层顶部表面以及侧墙部分侧壁形成半导体层；对半导体层进行金属化处理，形成第一金属接触层。通过...
    2026-03-25
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202511075908.3
    提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体器件包括沟道、在第一方向上彼此分开且沟道位于其间的第一源极/漏极和第二源极/漏极、围绕沟道的栅极电极、被配置为向沟道提供交流电流的交流电流布线线路、以及将交流电流布线线路和第一源极/漏极彼此连接...
    2026-03-25
  • 半导体晶体管器件及其制造方法
    半导体晶体管器件及其制造方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202511206498.1
    本公开涉及半导体晶体管器件及其制造方法。本发明涉及一种半导体晶体管器件(10)，其包括：半导体主体(30)中的场电极沟槽(20)；场电极沟槽(20)中的场电极(40)；与场电极(40)电接触的场电极触点(50)；场电极沟槽(20)和场电极(...
    2026-03-25
  • 一种基于外延取向调控的锂基突触晶体管及其制备方法
    一种基于外延取向调控的锂基突触晶体管及其制备方法_福建师范大学_202511620856.3
    本发明公开了一种基于外延取向调控的锂基突触晶体管及其制备方法。所述的突触晶体管由下至上包括单晶衬底、锂基材料沟道层、栅介质层以及栅电极，单晶衬底的表面还设有与锂基材料沟道层两端欧姆接触的源电极和漏电极。本发明通过选择特定晶格匹配的单晶衬底，...
    2026-03-25
  • 一种SiC MOS器件结构及其制备方法
    一种SiC MOS器件结构及其制备方法_浙江摩珂达半导体有限公司_202511837280.6
    本发明公开了一种SiC MOS器件结构及其制备方法，包括：N+衬底层、N‑外延层、层间介质层，漏极、源极、对称的P‑Well区及其中的N+掺杂区，P+掺杂区；在外延层上方形成栅氧化层和平面分裂的多晶硅栅极，并在两侧P‑Well区之间的JFE...
    2026-03-25
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