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最新专利技术
  • 一种异硬脂酸改性富锂锰基正极材料的制备方法
    一种异硬脂酸改性富锂锰基正极材料的制备方法_长三角物理研究中心有限公司_202510367343.X
    本发明公开了一种异硬脂酸改性富锂锰基正极材料的制备方法，首先将原始富锂锰基材料置于异硬脂酸的醇溶液，混合改性后，进行二次煅烧，得到异硬脂酸改性富锂锰基正极材料。本发明制备的异硬脂酸改性富锂锰基正极材料有效抑制了富锂锰基正极材料氧析出的问题，...
    2026-01-20
  • 一种Fe3O4/FeF3@SEI电极材料及其制备方法和应用
    一种Fe<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>/FeF<Sub>3</Sub>@SEI电极材料及其制备方法和应用_东北师范大学_202510368385.5
    本发明公开了一种Fe3O4/FeF3@SEI电极材料及其制备方法和应用，属于电极材料技术领域，制备方法包括以下步骤：（1）将碳酸钠溶解于乙二醇中得到混合溶液，向混合溶液中加入...
    2026-01-20
  • 一种金属氧化物复合材料@SA电极材料及其制备方法和应用
    一种金属氧化物复合材料@SA电极材料及其制备方法和应用_东北师范大学_202510368371.3
    本发明公开了一种金属氧化物复合材料@SA电极材料及其制备方法和应用，制备方法包括以下步骤：S1：配制海藻酸钠溶液和金属离子溶液；S2：将海藻酸钠溶液和金属离子溶液混合并静置，离心得到中间产物；S3：对中间产物进行煅烧处理，得到金属氧化物复合...
    2026-01-20
  • 一种含硅负极结构
    一种含硅负极结构_深圳市原速光电科技有限公司_202510367908.4
    本发明属于电池技术领域，尤其涉及一种含硅负极结构，包括含硅负极、采用ALD沉积在所述含硅负极表面的第一人工SEI层、采用MLD沉积在所述第一人工SEI层表面的第二人工SEI层和采用ALD沉积在所述第二人工SEI层的第三人工SEI层。相对于现...
    2026-01-20
  • 一种干法电极极片的制备方法及制备的电池
    一种干法电极极片的制备方法及制备的电池_江阴纳力新材料科技有限公司_202510364400.9
    本发明涉及电极技术领域，具体是一种干法电极极片的制备方法及制备的电池。本发明通过添加复合碳纳米管导电材料、银溶液、碘化氢、十六烷基三甲基溴化铵、苯胺单体、氯化铁、过硫酸铵为原料，制备得到一种复合导电材料。再通过添加聚乙烯吡咯烷酮、乙二醇、氯...
    2026-01-20
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_上海积塔半导体有限公司_202510369014.9
    本发明提供一种半导体结构及其制备方法，通过两次光刻和阻挡层的沉积，将氮化硅层完全包覆，有效缓解氮化硅层和金属材料间的应力差异，减少因应力过大导致的介质层开裂问题；具有阻挡层的半导体结构可以避免在测试过程中氮化硅层中氢元素的析出，从而提高半导...
    2026-01-20
  • 晶圆承载传输系统及晶圆盒自动传输方法
    晶圆承载传输系统及晶圆盒自动传输方法_上海稷以科技有限公司_202510369736.4
    本发明提供了晶圆承载传输系统及晶圆盒自动传输方法。所述晶圆承载传输系统包括从上至下分布的上固定载台、多层暂存载台系统、下固定载台；所述多层暂存载台系统包括上层和下层；其中，所述上层包括左右两个暂存载台，所述下层包括左右两个暂存载台，每个所述...
    2026-01-20
  • 一种多工位高效率共晶机及其工作方法
    一种多工位高效率共晶机及其工作方法_中科光智(重庆)科技有限公司_202510366190.7
    本发明公开了一种多工位高效率共晶机及其工作方法，该共晶机包括机体，机体上设有上下料机构、贴片机构和多工位机构；上下料机构包括托盘和上下料模组，托盘上用于放置物料，上下料模组用于将待处理的物料放置到多工位机构上，并将多工位机构上处理好的物料重...
    2026-01-20
  • 一种半导体晶圆表面预处理装置
    一种半导体晶圆表面预处理装置_常州华茂电气科技有限公司_202510364254.X
    本发明公开了一种半导体晶圆表面预处理装置，属于半导体晶圆处理领域。一种半导体晶圆表面预处理装置，包括晶圆存放盒，还包括：清洗箱，设置在晶圆存放盒的正下方，所述清洗箱用以对半导体晶圆预处理；支撑板，设置在清洗箱的正上方，所述支撑板的顶部转动连...
    2026-01-20
  • 用于晶圆清洗单元的转速测定装置、晶圆清洗单元及晶圆处理设备
    用于晶圆清洗单元的转速测定装置、晶圆清洗单元及晶圆处理设备_华海清科股份有限公司_202510363076.9
    本申请提供一种用于晶圆清洗单元的转速测定装置、晶圆清洗单元及晶圆处理设备。转速测定装置包括：固定轴，设置有液体通路；转动单元，包括转动部和轴承组件，转动部形成容纳腔，固定轴部分伸入容纳腔并与转动部通过轴承组件形成连接，转动部用于与旋转的晶圆...
    2026-01-20
  • 一种提升电致热转辐射总成之辐射功率密度的装置
    一种提升电致热转辐射总成之辐射功率密度的装置_张世忠_202510362367.6
    本发明涉及一种提升电致热转辐射总成之辐射功率密度的装置作为半导体制造程序的光热辐射加热源，利用其柱状辐射结构，于其高度平滑的电致热转辐射元件之光热辐射透射单元的表面于一或多组电致热转光热辐射元件之支撑座的对立面保持其原本之高光热辐射透射率本...
    2026-01-20
  • 缺陷检测设备的优化方法、装置、设备、程序产品及介质
    缺陷检测设备的优化方法、装置、设备、程序产品及介质_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510364342.X
    本发明提供了一种缺陷检测设备的优化方法、装置、设备、程序产品及介质，属于半导体技术领域。包括：确定缺陷检测设备中光源的目标位置；在所述光源位于所述目标位置的情况下，基于所述缺陷检测设备，对至少一个晶圆样片进行缺陷检测，获得所述至少一个晶圆样...
    2026-01-20
  • 一种纯直流平面型离子漏斗
    一种纯直流平面型离子漏斗_深圳扩维原子科技有限公司_202510366324.5
    本发明涉及离子输运技术领域，具体公开了一种纯直流平面型离子漏斗，包括：直流电源和由N个环形电极，N个所述环形电极从内向外同圆心堆叠而成,并构成平面型结构，每个所述环形电极的壁厚相同，N个所述环形电极的半径从内向外逐渐增大，构成一圈圈同心圆结...
    2026-01-20
  • 一种氧化锆种植体表面改性处理系统及透明电极制备方法
    一种氧化锆种植体表面改性处理系统及透明电极制备方法_四川大学_202510365253.7
    一种氧化锆种植体表面改性处理系统及透明电极制备方法，该系统玻璃管的上端连接有气动接头，气动接头通过管路连接真空泵；透明电极喷涂在玻璃管的外壁，棒状电极固定在玻璃管的下端内侧中心；氧化锆种植体倒置于棒状电极的上方并贴紧棒状电极；透明电极在玻璃...
    2026-01-20
  • 一种真空接触器
    一种真空接触器_西电宝鸡电气有限公司_202510366859.2
    本发明涉及开关技术领域，具体公开了一种真空接触器，包括第一导电板、第二导电板、操动机构、第一绝缘支撑杆、第二绝缘支撑杆、真空灭弧室、导向杆和导向套；第一导电板、第二导电板和操动机构依次间隔设置；真空灭弧室设于第一导电板和第二导电板之间；真空...
    2026-01-20
  • 隔离开关及环网柜
    隔离开关及环网柜_西电宝鸡电气有限公司_202510367459.3
    本发明属于电力系统技术领域，公开了一种隔离开关及环网柜。该隔离开关用于设置在环网柜的柜体上，具体包括接通静触头、接地静触头和动触头，接通静触头和接地静触头均固定于柜体，动触头第一端转动设置于柜体，动触头具有与接通静触头接触的接通位置、与接地...
    2026-01-20
  • 一种电子加速器的次级线圈的生产工艺
    一种电子加速器的次级线圈的生产工艺_中创辐电科技(浙江)有限公司_202510366893.X
    本发明涉及磁体系统，具体公开了一种电子加速器的次级线圈的生产工艺，包括以下步骤：配置绕线工装：将内屏蔽环套入绕线工装，连同绕线工装组装成型，将绕线工装装配至电机轴；绕线：在内屏蔽环的外侧面铺设云母带作为底层；在底层云母带上进行漆包线的绕制，...
    2026-01-20
  • 一种平面耦合电感的制备方法及平面耦合电感
    一种平面耦合电感的制备方法及平面耦合电感_海南空天信息研究院_202510366688.3
    本发明提供一种平面耦合电感的制备方法及平面耦合电感，涉及电感器技术领域，制备方法包括：构造多个电感线圈，将电感线圈通过上下层叠的方式进行堆叠；在堆叠的电感线圈的底部和顶部分别设置一个背部磁芯；将堆叠的最底部的电感线圈与底部的背部磁芯紧贴，并...
    2026-01-20
  • 一种线圈及线圈的制作方法
    一种线圈及线圈的制作方法_龙旗电子(惠州)有限公司_202510362738.0
    本发明提供了一种线圈，涉及无线充电技术领域，线圈包括：磁芯和柔性电路板，柔性电路板的第一面上设有多个沿着磁芯延伸的第一方向排列分布的第一线路，柔性电路板的第二面上设有多个沿着第一方向排列分布的第二线路，柔性电路板缠绕在磁芯上，多个第一线路与...
    2026-01-20
  • 一种干式磁流变液材料及其制备方法
    一种干式磁流变液材料及其制备方法_南京工业大学_202510363352.1
    本发明属于磁流变智能材料技术领域，更具体的，涉及一种干式磁流变液材料及其制备方法。本发明提供的干式磁流变液材料，按质量百分比计，原料包括：羰基铁粉92‑99.75％和气相二氧化硅0.25‑8％，通过将羰基铁粉和气相二氧化硅混合，进行湿法球磨...
    2026-01-20
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