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最新专利技术
  • 一种青稞β-葡聚糖基Pickering乳液凝胶、制备方法及应用
    一种青稞β-葡聚糖基Pickering乳液凝胶、制备方法及应用_齐鲁工业大学(山东省科学院)_202510736334.3
    本申请提供一种青稞β‑葡聚糖基Pickering乳液凝胶、制备方法及应用，该Pickering乳液凝胶以青稞β‑葡聚糖、火麻仁蛋白、百香果籽油为制备原料，通过FeCl3固化制备形成。该Pickering乳液凝胶利用青稞...
    2026-01-21
  • 一种生物蛋白及其制备方法和应用
    一种生物蛋白及其制备方法和应用_河南省科研平台服务中心_202510734636.7
    本发明技术领域的动物营养领域，具体涉及一种生物蛋白及其制备方法和应用。所述生物蛋白主要由以下重量百分比原料发酵制成：83‑87wt％玉米蛋白、6.5‑7.5wt％葛仙米、4‑8wt％海椰子和2.5‑3.5wt％葡萄糖和微生物菌剂；所述微生物...
    2026-01-21
  • 一种小龙虾加工处理设备
    一种小龙虾加工处理设备_潜江市虾海农业科技有限公司_202510734702.0
    本发明属于小龙虾加工处理技术领域，具体的说是一种小龙虾加工处理设备，包括支撑架，所述支撑架顶部固定连接有清洗筒，所述清洗筒内部左右两侧的中心处均开设有贯穿式的安装孔，两个所述安装孔之间通过轴承一转动连接有转动杆，所述转动杆右端延伸至清洗筒外...
    2026-01-21
  • 一种小龙虾加工的预处理装置
    一种小龙虾加工的预处理装置_潜江市虾海农业科技有限公司_202510733139.5
    本发明公开了一种小龙虾加工的预处理装置，涉及农产品加工设备技术领域，包括外筒，所述外筒的表面固定连接有安装架，所述安装架的内壁固定连接有水管，所述水管靠近安装架的一端固定连接有喷淋盘，所述外筒的表面固定连接有两个电动伸缩杆，两个所述电动伸缩...
    2026-01-21
  • 一种车辆后备箱专用水产品处理台装置
    一种车辆后备箱专用水产品处理台装置_浙江省海洋水产研究所_202510738025.X
    本发明涉及水产加工技术领域，公开了一种车辆后备箱专用水产品处理台装置，包括U形板，所述U形板上部安装有固定机构，所述固定机构包括放置组件和支撑组件，其用于放置各种刀具等物品和对整个装置进行支撑，所述U形板两端之间安装有水产处理机构，所述水产...
    2026-01-21
  • 叶面喷施调环酸钙在提高花生抗旱性中的应用
    叶面喷施调环酸钙在提高花生抗旱性中的应用_沈阳农业大学_202510736034.5
    本发明提供了叶面喷施调环酸钙在提高花生抗旱性中的应用，属于农业技术领域。本发明提供了调环酸钙参与调控花生对干旱胁迫的响应及其在抗旱性中的应用，主要用于缓解干旱条件下花生叶片生理功能损伤，可显著提高花生叶片中叶绿素、可溶性蛋白、可溶性糖和脯氨...
    2026-01-21
  • 一种油菜籽育苗培养设备
    一种油菜籽育苗培养设备_湖北乡味百年食品有限公司_202510733140.8
    本发明涉及育苗技术领域的一种油菜籽育苗培养设备，包括培养箱，培养箱的上端通过铰链转动连接有密封盖；将油菜籽种植在抽拉箱内后，当其缺水时，通过将水箱内的水抽出，对幼苗进行灌溉，从而无需人员频繁手动对幼苗进行浇水，降低人员的工作强度，以及确保幼...
    2026-01-21
  • 一种竹笋垂直扦插装置及扦插方法
    一种竹笋垂直扦插装置及扦插方法_云南生机湾农业有限公司_202510733273.5
    本发明公开了一种竹笋垂直扦插装置及扦插方法，属于农业种植技术领域，装置包括工作平台、移动轮、扦插槽及对称设置的扦插单元，扦插单元通过立柱、连接架、感应校准单元(含环形壳体、PLC控制器、红外距离感应器及带橡胶涂层的夹具)和伺服电机驱动的丝杆...
    2026-01-21
  • 一种盐碱地改良车及其使用方法
    一种盐碱地改良车及其使用方法_内蒙古自治区农牧业科学院_202510732784.5
    本发明公开了一种盐碱地改良车及其使用方法，涉及盐碱地治理领域。一种盐碱地改良车，包括车厢，所述车厢的一侧设置有用于与驱动设备进行连接的连接件，所述车厢靠近连接件的一侧下端转动连接有前轮轴，所述前轮轴的两端对称固定连接有前车轮；本发明在车辆行...
    2026-01-21
  • 显示基板及其制备方法和显示装置
    显示基板及其制备方法和显示装置_合肥鑫晟光电科技有限公司_202510749963.X
    本申请提供一种显示基板及其制备方法和显示装置，显示基板包括基底；设于基底上的驱动层，驱动层包括至少两个驱动芯片以及连接相邻两个驱动芯片的信号走线，信号走线包括第一区域和第二区域；设于驱动层上的保护层，保护层包括第一保护区域，第一保护区域覆盖...
    2026-01-21
  • 一种通过环氧树脂填充Micro-LED器件的键合翘曲抑制方法
    一种通过环氧树脂填充Micro-LED器件的键合翘曲抑制方法_上海大学_202510745275.6
    本发明公开一种通过环氧树脂填充Micro‑LED器件的键合翘曲抑制方法，涉及微显示封装技术领域。所述制备方法包括：先用丙酮溶液超声清洗Micro‑LED芯片和基板，之后采用多步旋涂的方式在所述Micro‑LED芯片的间隙中填充环氧树脂胶，再...
    2026-01-21
  • 近红外LED器件及其制备方法
    近红外LED器件及其制备方法_中国科学院深圳先进技术研究院_202510746908.5
    本申请提供了近红外LED器件及其制备方法。制备方法包括：在透明导电衬底层制作形成P型发光层，所述P型发光层采用铜镉锌锡硒作为原材料和采用氟化钠作为添加剂，通过共蒸发法和低温退火工艺制作形成；在所述P型发光层上制作形成N型缓冲层；在所述N型缓...
    2026-01-21
  • 一种基于银掺杂的ACCZTSe短波红外光电探测器及其制备方法
    一种基于银掺杂的ACCZTSe短波红外光电探测器及其制备方法_中国科学院深圳先进技术研究院_202510744280.5
    本申请涉及光电探测器技术领域，特别涉及一种基于银掺杂的ACCZTSe短波红外光电探测器及其制备方法，该探测器包括：衬底以及依次层叠设置在衬底上的钼背电极、吸收层、n型层、窗口层和表面电极；其中，吸收层为ACCZTSe吸收层；吸收层的材料成分...
    2026-01-21
  • 红外探测器硫化镉n型缓冲层薄膜的界面优化方法与应用
    红外探测器硫化镉n型缓冲层薄膜的界面优化方法与应用_中国科学院深圳先进技术研究院_202510743031.4
    本申请涉及光电探测器技术领域，特别涉及一种红外探测器硫化镉n型缓冲层薄膜的界面优化方法与应用，该方法包括以下步骤：在吸收层上形成硫化镉n型缓冲层薄膜；对硫化镉n型缓冲层薄膜进行清洗后吹干；对吹干后的硫化镉n型缓冲层薄膜进行热处理；将热处理后...
    2026-01-21
  • 双向静电放电保护电路
    双向静电放电保护电路_芯联集成电路制造股份有限公司_202510745661.5
    本发明提供一种双向静电放电保护电路，包括电流泄放管、正触发保护电路以及负触发保护电路。通过电流泄放管和正触发保护电路的配合，可以保证功率开关管的控制端出现较高的电压时电流泄放管导通，且电流通过第一电流通路流向电流泄放管的控制端，从而泄放至电...
    2026-01-21
  • 沟槽型MOSFET及其制造方法
    沟槽型MOSFET及其制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202510746841.5
    本发明公开了一种沟槽型MOSFET，作为MOSFET的第一沟道区的第二导电类型的第一阱区形成于栅极沟槽的第一侧面处，栅极沟槽的第二侧面处形成有第二导电类型的第二掺杂区且第二掺杂区还会延伸到栅极沟槽的底部表面正下方，在第二掺杂区的顶部表面上形...
    2026-01-21
  • 沟槽型MOSFET及其制造方法
    沟槽型MOSFET及其制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202510746840.0
    本发明公开了一种沟槽型MOSFET，在沟槽栅的第一侧形成有第一阱区和位于第一阱区顶部表面的源区，在沟槽栅的第二侧形成有第二掺杂区且部分第二掺杂区延伸到栅极沟槽的底部表面正下方，在第二掺杂区的表面区域形成有第三掺杂区，各第三掺杂区的第二侧面延...
    2026-01-21
  • 沟槽型MOSFET及其制造方法
    沟槽型MOSFET及其制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202510746839.8
    本发明公开了一种沟槽型MOSFET，在沟槽栅的第一侧形成有第一阱区和位于第一阱区顶部表面的源区，在沟槽栅的第二侧形成有第二掺杂区且部分第二掺杂区延伸到栅极沟槽的底部表面正下方，在第二掺杂区的顶部形成有平面栅以及在平面栅的两侧分别形成有第三掺...
    2026-01-21
  • 场效应晶体管及其制造方法
    场效应晶体管及其制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202510751969.0
    本发明公开了一种场效应晶体管，第一JFET形成于第一外延层中，第二MOSFET形成于第二外延层中，第一外延层的材料的禁带宽度大于第二外延层的材料的禁带宽度第二外延层形成于第一外延层的顶部表面上且第一外延层和第二外延层的接触面呈异质结，第一J...
    2026-01-21
  • 利用AlN介质实现的GaN双沟强耦合结构及其制备方法
    利用AlN介质实现的GaN双沟强耦合结构及其制备方法_西安电子科技大学_202510746787.4
    本发明公开了一种利用AlN介质层实现的GaN双沟强耦合结构及其制备方法，该结构包括：衬底；位于衬底之上的第一GaN层；位于第一GaN层之上的第一势垒层；位于第一势垒层之上的含Al介质层；位于含Al介质层之上的第二GaN层；位于第二GaN层之...
    2026-01-21
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