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最新专利技术
  • 一种光伏太阳能板生产加工用贴合装置
    一种光伏太阳能板生产加工用贴合装置_江苏盛皇新能源科技有限公司_202510798944.6
    本发明公开了一种光伏太阳能板生产加工用贴合装置， 涉及太阳能板加工技术领域。本发明包括机架， 所述机架设置有传送装置、涂胶装置及定位装置， 所述机架上安装有下压装置， 所述下压装置包括下压板， 所述下压板的下方通过弹簧连接有压合装置， 所述...
    2025-11-22
  • 硅片及其制备方法、电池片及光伏组件
    硅片及其制备方法、电池片及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202510756574.X
    本申请提供了一种硅片及其制备方法、电池片及光伏组件， 硅片包括第一表面、第二表面及连接第一表面和第二表面的多个侧面， 第一表面至第二表面的方向为硅片的厚度方向。至少一个侧面上具有多个凹坑和多道沿第一方向间隔设置的沟槽， 沟槽沿硅片的厚度方向...
    2025-11-22
  • 一种线痕基底裂变成多级塔台纳米绒面的制备方法
    一种线痕基底裂变成多级塔台纳米绒面的制备方法_眉山琏升光伏科技有限公司_202510707758.7
    本发明涉及太阳能电池技术领域， 具体涉及一种线痕基底裂变成多级塔台纳米绒面的制备方法， 包括以下步骤：S1.处理硅片得到双面抛光平整面；S2.在抛光面形成氧化层；S3.除杂处理；S4.附着纳米掩膜颗粒后进行小绒面刻蚀。本发明实现了无线痕基底...
    2025-11-22
  • 异形阳极板、电镀装置和太阳能电池镀层
    异形阳极板、电镀装置和太阳能电池镀层_环晟光伏(江苏)有限公司_202411005594.5
    本发明提供了一种异形阳极板、电镀装置和太阳能电池镀层， 具体涉及太阳能电池制备技术领域。该异形阳极板为具有网孔的帽状结构；所述帽状结构包括帽冠和帽檐， 所述帽冠的外表面向外延伸与所述帽檐相接壤；所述帽冠和所述帽檐是一体成型的。本发明提供的异...
    2025-11-22
  • 一种无选择性掺杂高方阻电池片的制备方法、电池片及TOPCon电池
    一种无选择性掺杂高方阻电池片的制备方法、电池片及TOPCon电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202410804110.7
    本发明提供了一种无选择性掺杂高方阻电池片的制备方法、电池片及TOPCon电池， 涉及太阳能电池制造技术领域。所述无选择性掺杂高方阻电池片的制备方法包括以下步骤：通过PECVD沉积工艺在所述制绒后的硅片的正面沉积硼硅玻璃层；通过激光面扫工艺对...
    2025-11-22
  • 一种钝化接触电池及其制作方法
    一种钝化接触电池及其制作方法_正泰新能科技股份有限公司_202410481175.2
    本申请涉及光伏领域， 公开了一种钝化接触电池及其制作方法， 包括：S1， 在硅片背面的金属区域形成依次层叠的第一隧穿层和第一掺杂多晶硅层， 在硅片正面的金属区域形成依次层叠的第二隧穿层和第二掺杂多晶硅层；硅片正面设有绒面， 硅片背面为光面；...
    2025-11-22
  • 一种金属网加工方法及加工装置
    一种金属网加工方法及加工装置_无锡奥特维科技股份有限公司_202410456191.6
    本申请提供了一种金属网加工方法及加工装置， 金属网加工方法包括：将金属浆料施加至承载板上以形成金属网状结构， 金属网状结构包括多根平行的且沿第一水平方向延伸的第一金属线及多根沿第二水平方向延伸的第二金属线， 第二金属线和第一金属线相交；对金...
    2025-11-22
  • 光成像模块
    光成像模块_深圳帧观德芯科技有限公司_202510876552.7
    一种光成像模块， 包括探测阵列和多个读出芯片， 多个读出芯片堆叠在探测阵列上， 探测阵列包括多个像素阵列， 每个像素阵列包括多个像素， 读出芯片包括周边区域和由多个读出电路组成的读出电路阵列， 读出芯片与像素阵列对应设置， 每个读出电路均经...
    2025-11-22
  • 一种多光谱堆叠芯片
    一种多光谱堆叠芯片_上海叠铖光电科技有限公司_202510969531.X
    本发明公开了一种多光谱堆叠芯片， 具体涉及电缆故障检测技术领域， 包括可见光芯片、量子点光子晶体探测器、增透结构以及键合胶；所述可见光芯片为经过临时键合、减薄与增透结构制备工艺处理的晶圆；所述量子点光子晶体探测器为独立晶圆；所述增透结构包括...
    2025-11-22
  • 图像传感器及其制造方法
    图像传感器及其制造方法_湖北江城芯片中试服务有限公司_202511049501.3
    本公开实施例提供一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括：基底， 所述基底包括层叠的光电二极管层和电路层；高介电常数材料层， 所述高介电常数材料层覆盖所述基底的表面；透光结构， 所述透光结构覆盖所述高介电常数材料层的表面；所述透光结构包括...
    2025-11-22
  • 具有多层薄膜电容器的图像采集电路
    具有多层薄膜电容器的图像采集电路_深圳市元视芯智能科技有限公司_202510983174.2
    本申请提供具有多层薄膜电容器的图像采集电路， 包括：一多层薄膜电容器， 多层薄膜电容器包括设置于顶部首层金属层与顶部次层金属层之间的具有第一焊盘和第三焊盘的第一电容器和设置于顶部次层金属层与第一金属层之间的具有第二焊盘和第四焊盘的第二电容器...
    2025-11-22
  • 影像感测器
    影像感测器_采钰科技股份有限公司_202510528500.0
    一种影像感测器包含光电转换层、彩色滤光层、增强层、色散层以及路由层。光电转换层包含多个光电二极管以及将多个光电二极管分开的多个深沟槽隔离。增强层设置于彩色滤光层上， 其中增强层包含多个第一支柱、填充物以及第一横向层。路由层设置于色散层上， ...
    2025-11-22
  • 光电突触与光电探测特性可调的器件、制备方法及其应用
    光电突触与光电探测特性可调的器件、制备方法及其应用_鹏城实验室_202510846458.7
    本申请实施例提供了一种光电突触与光电探测特性可调的器件、制备方法及其应用， 涉及半导体技术领域。光电器件包括衬底、绝缘层、二硫化钼构成的沟道层以及位于绝缘层的上方的漏极层和源极层， 沟道层位于绝缘层的上方， 漏极层和源极层分别位于沟道层的两...
    2025-11-22
  • 一种铟阵列内单铟球去除方法及系统
    一种铟阵列内单铟球去除方法及系统_河北天翼红外科技有限公司_202511053226.2
    本发明属于半导体技术领域， 提供了一种铟阵列内单铟球去除方法及系统， 方法包括：模糊定位、高度数据测量、最终电路厚度数据计算、原始读出电路固定、十字叉丝对齐、下降高度信息计算、抽真空及加热、钨铂合金冷针穿刺、目标异常铟球剔除以及冷却及加压；...
    2025-11-22
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511005007.7
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法， 该半导体器件包括：衬底， 衬底中形成有间隔设置的光电二极管和浮置扩散区， 浮置扩散区用于接收光电二极管响应于入射光产生的光生电荷；PIP电容， 位于衬底上并至少部分地位于光电二极管上方， 包括自下而上...
    2025-11-22
  • 一种紫外成像CMOS图像传感器的制造工艺
    一种紫外成像CMOS图像传感器的制造工艺_浙江大学_202510826980.9
    本发明公开一种紫外成像CMOS图像传感器的制造工艺。本发明是在硅基CMOS图像传感器的感光区上方形成后道介质层；刻蚀去除所述后道介质层， 以暴露感光区；然后在暴露的感光区上方利用磁控溅射技术沉积Ga2O3薄膜， 形成紫外光吸收层；对所述Ga...
    2025-11-22
  • 一种多层沟道p-GaN/AlGaN/n-GaN结构的光电探测器
    一种多层沟道p-GaN/AlGaN/n-GaN结构的光电探测器_革点科技(深圳)有限公司_202510869425.4
    一种多层沟道p‑GaN/AlGaN/n‑GaN结构的光电探测器， 包括依次从下向上堆叠且结构对称的衬底、沟道层和p型GaN层；沟道层由多层势垒层和多层n型GaN层即n‑GaN交替堆叠而成；本发明通过在单层p‑GaN/AlGaN/n‑GaN结...
    2025-11-22
  • 单光子雪崩二极管、制造方法及电子设备
    单光子雪崩二极管、制造方法及电子设备_杭州海康威视数字技术股份有限公司_202510899221.5
    一种单光子雪崩二极管、制造方法及电子设备， 属于半导体技术领域， 通过包括衬底、掺杂层、第一掺杂区、第二掺杂区、第一电极、第二电极和第三电极；第一掺杂区从掺杂层的上表面延伸至掺杂层内部；第二掺杂区间隔环绕第一掺杂区且从掺杂层的上表面延伸至掺...
    2025-11-22
  • 一种GaN基梯度掺杂极紫外探测器及其制备方法
    一种GaN基梯度掺杂极紫外探测器及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511361899.4
    本发明涉及半导体技术领域， 提供一种GaN基梯度掺杂极紫外探测器及其制备方法。GaN基梯度掺杂极紫外探测器， 包括衬底、GaN缓冲层、n‑GaN层、i‑GaN层、n型电极、梯度掺杂p‑GaN层、p型电极， 由梯度掺杂p‑GaN层靠近p型电极...
    2025-11-22
  • 一种高速率宽光谱响应光电探测器、外延结构及其制备方法
    一种高速率宽光谱响应光电探测器、外延结构及其制备方法_成都西交杰睿光电科技有限公司_202511340867.6
    本发明提出了一种高速率宽光谱响应光电探测器、外延结构及其制备方法， 涉及光电芯片制造加工领域。该外延结构包括在衬底上依次生长的‌InP缓冲层、‌InxGayAs缓冲层、‌Inx1Gay1As缓冲层、‌N‑Inx2Gay2As接触层、‌Inx...
    2025-11-22
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