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最新专利技术
  • 半导体元件
    半导体元件_晶元光电股份有限公司_202510563796.X
    本发明公开一种半导体元件，包括外延结构、第一电极、绝缘结构、阻挡层以及第二电极。外延结构包含第一半导体层、第二半导体层以及位于第一半导体层及第二半导体层间的活性区。第二半导体层具有第一部分及第二部分。第二部分的宽度小于第一部分的宽度，且第一...
    2025-11-30
  • 一种基于选区自组装纳米结构的发光二极管及其制备方法
    一种基于选区自组装纳米结构的发光二极管及其制备方法_厦门大学_202511003588.0
    本发明涉及发光二极管技术领域，公开了一种基于选区自组装纳米结构的发光二极管及其制备方法，包括：衬底层；主缓冲层，设置在衬底层的一侧表面上；分布式布拉格反射器结构，包括多个多孔n型掺杂层和多个n型掺杂层，多个多孔n型掺杂层和多个n型掺杂层自下...
    2025-11-30
  • 一种多波段LED外延结构及其制备方法
    一种多波段LED外延结构及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202511383720.5
    本发明涉及发光二极管技术领域，公开一种多波段LED外延结构及其制备方法，多波段LED外延结构包括多量子阱发光层，多量子阱发光层包括长波蓝光多量子阱层、短波蓝光多量子阱层、长波紫光多量子阱层和短波紫光末量子阱层，均为周期结构，单个周期均包括N...
    2025-11-30
  • 发光二极管和发光二极管的制作方法
    发光二极管和发光二极管的制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510805961.8
    本公开提供了一种发光二极管和发光二极管的制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，第二半导体层和有源层开设有延伸到第一半导体层的凹槽；透明导电层，透明导电层位于第二半导体层上，透明导电层具有...
    2025-11-30
  • 一种提升AlGaInP红光Micro LED发光性能的方法
    一种提升AlGaInP红光Micro LED发光性能的方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202511395336.7
    本申请公开了一种提升AlGaInP红光Micro LED发光性能的方法，包括如下步骤：S1，外延结构制备：衬底与缓冲层处理、刻蚀阻挡层与欧姆接触层生长、功能层堆叠外延；S2，硅基衬底图形化；S3, 外延片预处理与Mesa刻蚀；S4，侧壁修复...
    2025-11-30
  • 微型发光二极管的制备方法
    微型发光二极管的制备方法_苏州大学_202510920970.1
    本发明公开了一种微型发光二极管的制备方法，包括如下步骤：提供一LED外延片；其中，所述LED外延片包括层叠设置的GaN半导体层、量子阱层以及p‑GaN层；对所述GaN半导体层的N面进行退火处理，使所述GaN半导体层表面的GaN转化为GaO，...
    2025-11-30
  • 高表面光提取效率的微型发光二极管的制备方法
    高表面光提取效率的微型发光二极管的制备方法_苏州大学_202510920820.0
    本发明公开了高表面光提取效率的微型发光二极管的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供一LED外延片；其中，所述LED外延片包括层叠设置的GaN半导体层、量子阱层以及p‑GaN层；对所述GaN半导体层的N面进行退火处理，使所述GaN半导体层...
    2025-11-30
  • 一种光电探测器
    一种光电探测器_武汉科技大学_202511012182.9
    本发明涉及光电探测器领域，具体公开了一种光电探测器；本发明通过将电路板和光敏板等电子元器件设置在安装壳内部，再使用第一密封板和第二密封板对安装壳进行双重密封，在安装壳内部形成稳定的密封工作环境，能够有效避免安装壳内部在长时间使用后进入杂质，...
    2025-11-30
  • 用于降低整体厚度的影像读取模块以及便携式电子装置
    用于降低整体厚度的影像读取模块以及便携式电子装置_纮华电子科技(上海)有限公司_202410458843.X
    本发明提供一种用于降低整体厚度的影像读取模块以及便携式电子装置。影像读取模块包括电路衬底、图像感测芯片、绝缘连接结构以及镜头组件。图像感测芯片设置在电路衬底的贯穿开口内且通过多个金属引线以电性连接于电路衬底。绝缘连接结构设置在电路衬底的贯穿...
    2025-11-30
  • 一种太阳能电池结构、太阳能电池、光伏组件
    一种太阳能电池结构、太阳能电池、光伏组件_常州纵慧芯光半导体科技有限公司_202510909619.2
    本申请涉及一种太阳能电池结构、太阳能电池、光伏组件。所述太阳能电池结构包括：衬底；第一反射结构，所述第一反射结构生长在衬底上；能量转换层，所述能量转换层生长在所述第一反射结构上；第二反射结构，所述第二反射结构生长在所述能量转换层上，所述第二...
    2025-11-30
  • 具有载流子屏蔽缓解的光电二极管
    具有载流子屏蔽缓解的光电二极管_拉诺沃斯公司_202510553475.1
    本公开提供了一种具有载流子屏蔽缓解的光电二极管。光电二极管包括输入波导、包括光电二极管材料的光电二极管部件以及光耦合波导。输入波导和光耦合波导在光电二极管部件外部的相应端部处彼此光学耦合。光耦合波导沿着光电二极管材料的长度的至少一部分与光电...
    2025-11-30
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202410485399.0
    一种太阳能电池及其制备方法，太阳能电池包括硅衬底、位于硅衬底背面的钝化接触结构、背面电极；所述钝化接触结构包括位于硅衬底背面的隧穿层、位于所述隧穿层背面的第一掺杂多晶硅层、位于所述第一掺杂多晶硅层背面的栅线区的间隔层、位于所述间隔层背面的第...
    2025-11-30
  • 太阳能电池片及光伏组件
    太阳能电池片及光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511308177.2
    本申请涉及一种太阳能电池片及光伏组件，涉及光伏技术领域。太阳能电池片包括基底和多个焊点。基底设有多个焊接区，所述焊接区包括第一焊接区和第二焊接区；所述焊点包括第一焊点和第二焊点，所述第二焊点的宽度大于所述第一焊点的宽度；所述第一焊接区和所述...
    2025-11-30
  • 太阳能电池及光伏组件
    太阳能电池及光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511304477.3
    本申请涉及一种太阳能电池及光伏组件，涉及光伏技术领域。太阳能电池包括主体、多个第一焊点及多个第二焊点，所述第二焊点的宽度大于所述第一焊点的宽度；所述主体设有第一焊接区和第二焊接区，所述第一焊接区和所述第二焊接区沿第一方向分布于所述主体的表面...
    2025-11-30
  • 一种背接触电池组件
    一种背接触电池组件_陕西众森电能科技有限公司_202511272109.5
    本申请公开了一种背接触电池组件，包括电池本体、多个第一细栅、多个第二细栅、边缘连接线、边缘焊带以及焊带，多个第二细栅与多个第一细栅交错排列；边缘连接线分别与多个第二细栅连接；边缘焊带分别与多个第二细栅连接；焊带垂直设置于多个第一细栅和多个第...
    2025-11-30
  • 一种TBC电池背面金属化结构、TBC电池及组件
    一种TBC电池背面金属化结构、TBC电池及组件_宜宾英发德睿科技有限公司_202511056788.2
    本发明公开了一种TBC电池背面金属化结构、TBC电池及组件，涉及TBC电池制备技术领域，包括设置在硅基底背面依次层叠的隧穿层、掺杂层、钝化层和金属电极，所述金属电极包括主栅PAD、细栅电极和喇叭口，所述主栅PAD包括相互隔离的N区主栅PAD...
    2025-11-30
  • 银纳米线在制备碲化镉太阳能电池背接触层中的应用
    银纳米线在制备碲化镉太阳能电池背接触层中的应用_广东明阳薄膜科技有限公司_202510783269.X
    本发明公开了银纳米线在制备碲化镉太阳能电池背接触层中的应用。本发明方案利用银纳米线具有较高的功函数，使其与p型CdTe吸收层形成低阻、稳定的欧姆接触，有效降低了载流子传输的界面势垒。较于传统的背接触材料，无需采用高昂成本的磁控溅射设备，显著...
    2025-11-30
  • 一种太阳能电池及光伏组件
    一种太阳能电池及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202411579101.9
    本申请提供一种太阳能电池，其包括：硅基底，以及形成在硅基底的一侧表面的若干集电栅线；所述硅基底中掺杂有锑元素，在与所述集电栅线垂直的方向上单位长度上的相同极性的集电栅线的栅线密度为n根/cm，硅基底中锑元素的浓度为a atoms/cm3时，...
    2025-11-30
  • 钝化接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件
    钝化接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件_通威太阳能(彭山)有限公司_202410481995.1
    本发明公开了一种钝化接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件，该钝化接触结构设于硅基底表面，包括第一氧化硅层，设于硅基底表面；掺杂碳化硅层，设于第一氧化硅层上，厚度为5nm～60nm，制备掺杂碳化硅层的碳源和硅源气流量之比大于等于1 : 1...
    2025-11-30
  • IBC太阳能电池片及IBC太阳能电池组件
    IBC太阳能电池片及IBC太阳能电池组件_常熟阿特斯阳光电力科技有限公司_202410463964.3
    本发明公开了一种IBC太阳能电池片及IBC太阳能电池组件，所述IBC太阳能电池片包括硅片、位于硅片背光面上的多个掺杂层及多根细栅线，所述掺杂层包括掺杂类型相反的第一掺杂层和第二掺杂层，第一掺杂层和第二掺杂层平行且沿宽度方向交错间隔分布，所述...
    2025-11-30
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