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最新专利技术
  • 正极活性材料、其制备方法以及包含正极活性材料的正极和锂二次电池
    正极活性材料、其制备方法以及包含正极活性材料的正极和锂二次电池_株式会社LG化学_202480022173.5
    本发明涉及一种单粒子形式的正极活性材料、其制备方法以及包含正极活性材料的正极和锂二次电池，在所述单粒子形式的正极活性材料中，粒度分布因粒子变形小而即使在压延后也几乎不发生变化，其中本发明涉及一种正极活性材料，所述正极活性材料包含单粒子形式的...
    2025-11-19
  • 正极活性材料、以及包含其的正极和锂二次电池
    正极活性材料、以及包含其的正极和锂二次电池_株式会社LG化学_202480021458.7
    本发明涉及一种包含单粒子形式的锂过渡金属氧化物的正极活性材料，以及包含其的正极和锂二次电池，并且涉及一种单粒子型正极活性材料，其中单粒子形式的锂过渡金属氧化物包含形成粒子的外轮廓的外部边界和形成在粒子中的内部边界，并且满足0<内部边界的长度...
    2025-11-19
  • 正极活性材料、包含其的正极和锂二次电池
    正极活性材料、包含其的正极和锂二次电池_株式会社LG新能源_202480022248.X
    本发明涉及一种正极活性材料，其制备方法，包含其的正极和锂二次电池，所述正极活性材料包含：由化学式1表示的富锂的锰类氧化物，其中基于正极活性材料的总重量，硫含量为4, 000 ppm以上。
    2025-11-19
  • 正极活性物质
    正极活性物质_株式会社钟化_202480019388.1
    本发明提供一种具有层状岩盐型结构且初始充电容量比以往大的正极活性物质。该正极活性物质构成为：在Li2Mn1－xNixO3(0≤x＜1)表示的层状岩盐型结构的锂复合氧化物或锂复合氧化物的前体中添加含有硼元素的添加剂，使硼量相对于上述锂复合氧化...
    2025-11-19
  • 锂二次电池
    锂二次电池_株式会社LG新能源_202480019439.0
    本发明提供了一种锂二次电池，其包括正极；负极；设置在所述负极和所述正极之间的隔膜；以及非水电解质，其中，所述负极包括负极活性材料，所述负极活性材料包括硅基活性材料，并且所述非水电解质包括锂盐、氟代碳酸亚乙酯、1, 2‑二氟碳酸亚乙酯和特定化...
    2025-11-19
  • 电极层的制造方法
    电极层的制造方法_富士胶片株式会社_202480024639.5
    本发明的一实施方式为一种电极层的制造方法，其包括：工序A，使用螺杆泵将包含电极活性物质、导电助剂及电解液且固体成分浓度为40体积%～80体积%的电极材料供给到集电箔上；及工序B，将供给到集电箔上的电极材料整平，并在集电箔上形成电极层，螺杆泵...
    2025-11-19
  • 二次电池和电子装置
    二次电池和电子装置_厦门新能安科技有限公司_202480021506.2
    本申请提供了一种二次电池和电子装置，二次电池包括正极极片、隔膜和负极极片，隔膜设置在正极极片和负极极片之间，负极极片包括负极集流体以及设置于负极集流体至少一个表面上的第一涂层和第二涂层，第二涂层包括第一活性物质层，沿负极极片的厚度方向，第一...
    2025-11-19
  • 用于二次电池的单面电极及其制造方法、以及包含该单面电极的电极组件和二次电池
    用于二次电池的单面电极及其制造方法、以及包含该单面电极的电极组件和二次电池_株式会社LG新能源_202480024815.5
    本发明的实施方式提供了一种二次电池的单面电极、用于制造该单面电极的方法包括该单面电极的电极组件和二次电池，其中单面电极包括集流体和形成在集流体的一个表面上的活性材料层，活性材料层包括平坦部分和倾斜部分，所述平坦部分具有厚度恒定的活性材料层，...
    2025-11-19
  • 电极和蓄电装置
    电极和蓄电装置_日本特殊陶业株式会社_202480021831.9
    提供一种能够降低电荷转移电阻的电极(11)以及蓄电装置(10)。电极包含固体电解质的粒子(20)，粒子的比例为0.1体积%以上且30体积%以下，在电极截面上的400μm2面积内出现6个以上粒子的范围(18)中，粒子之间的平均距离(D)为1μ...
    2025-11-19
  • 正极和锂离子二次电池
    正极和锂离子二次电池_TDK株式会社_202480019620.1
    正极活性物质层(14)包括多个正极活性物质颗粒(14P)和形成于多个正极活性物质颗粒(14P)之间的颗粒间区域(14Z)。颗粒间区域(14Z)具有固体部(14S)和分散在固体部(14S)内的多个细孔(14V)。在正极活性物质层(14)的截面...
    2025-11-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202480025249.X
    一种半导体装置，能够提高半导体装置的可靠性。实施方式的半导体装置具备：至少一个以上的第一晶体管及至少一个以上的第二晶体管，分别具有连接于第一节点的第一端及连接于第二节点的第二端；至少一个以上的第三晶体管及至少一个以上的第四晶体管，分别具有连...
    2025-11-19
  • 传热单元
    传热单元_戴夫公司_202480024821.0
    传热单元被设置成将热量传递至可安装在传热单元上的热元件或者从热元件移除热量。该传热单元包括：第一出口分配通道，连接至出口通道；第一入口分配通道，连接至入口通道并设置为与第一出口分配通道相邻且平行于第一出口分配通道；第二出口分配通道，连接至出...
    2025-11-19
  • 复合填料及其制造方法
    复合填料及其制造方法_日本艾罗西尔股份有限公司_202480024573.X
    提供具有放热性(导热性)且具有比以往的电绝缘性更高的电绝缘性的复合填料。复合填料，其形成包含核物质和壳物质的核壳结构，所述核物质包含碳、金属、氧化锌或氧化锆，所述壳物质附着于该核物质的表面。壳物质是通过将气相氧化物粒子和核物质用干式球磨机进...
    2025-11-19
  • 固定组件和包括固定组件的开关元件
    固定组件和包括固定组件的开关元件_LG伊诺特有限公司_202480023496.6
    根据本发明的实施方式的固定组件包括：散热构件，该散热构件在散热构件的一个表面上包括其上设置有开关元件的基座，并且在散热构件的另一表面上包括从基座突出的多个散热翅片；以及固定构件，该固定构件从散热构件的一侧被插入至另一侧，以将开关元件和散热构...
    2025-11-19
  • 半导体元件及半导体元件的制造方法
    半导体元件及半导体元件的制造方法_索尼半导体解决方案公司_202480019558.6
    在形成有多个布线的半导体元件中，降低布线间电容。该半导体元件包括半导体基板、绝缘膜、保护膜、预定数量的布线以及覆盖空隙。在该半导体元件中，绝缘膜覆盖半导体基板的预定表面。在该半导体元件中，保护膜覆盖绝缘膜。在该半导体元件中，预定数量的布线形...
    2025-11-19
  • 电路基板的制造方法
    电路基板的制造方法_味之素株式会社_202480017185.9
    提供一种新型的电路基板的制造方法，其中，在对绝缘层进行化学机械研磨的电路基板的制造中，能够实现高研磨速度，且能够实现表面粗糙度小的绝缘层。该电路基板的制造方法的特征在于，其包括下述工序(X)、(Y)和(Z)：(X)在表面设置有层间连接用导体...
    2025-11-19
  • 具有表面结构的衬底布置
    具有表面结构的衬底布置_贺利氏电子有限两合公司_202480025044.1
    本发明涉及一种衬底布置，并且涉及一种用于生产电子组件的方法。该衬底布置具有(a)包括上侧和下侧的结合衬底，以及(b)包括接触装置的接触层，其中该接触层至少在某些区域中以平面的方式连接到该结合衬底的该下侧，其中该结合衬底的该下侧(i)沿着至少...
    2025-11-19
  • 接合连接件、功率模块组件和用于将第一接合配对件附接到第二接合配对件的方法
    接合连接件、功率模块组件和用于将第一接合配对件附接到第二接合配对件的方法_日立能源有限公司_202380097158.2
    详细说明了一种用于将第一接合配对件(2)附接到第二接合配对件(3)的接合连接件(1)，该接合连接件具有：‑ 接合材料(4)，以及‑ 金属间相层(5)，其中，‑ 接合材料(4)布置在第一接合配对件(2)与第二接合配对件(3)之间，‑ 金属间相...
    2025-11-19
  • 用于高级FINFET互连的自对准光刻-蚀刻-光刻-蚀刻心轴切割工艺
    用于高级FINFET互连的自对准光刻-蚀刻-光刻-蚀刻心轴切割工艺_国际商业机器公司_202480019574.5
    一种制造半导体器件的方法，包括提供具有介电叠层和位于介电叠层上的心轴层的半导体结构。牺牲心轴特征的阵列被图案化到心轴层中并且在介电叠层的绝缘层的顶部上。邻近牺牲心轴特征中的一个形成自对准非心轴切口。牺牲心轴特征被移除。在多个沟槽中的一个或多...
    2025-11-19
  • 包封型金属基座
    包封型金属基座_朗姆研究公司_202480024789.6
    一种用于衬底处理系统的基座包括基部和杆部。基部包括第一金属材料。杆部与基部耦合。第二金属材料包封基部。第二金属材料不同于第一金属材料。
    2025-11-19
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