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最新专利技术
  • 一种防止单晶掉落的引晶工艺
    一种防止单晶掉落的引晶工艺_宁夏中环光伏材料有限公司_202410605245.0
    本发明提供一种防止单晶掉落的引晶工艺，包括以下步骤：在第一引晶阶段内，以第一缩颈速度进行缩颈，直至籽晶缩颈至第一直径；在第二引晶阶段内，以第二缩颈速度进行缩颈，直至所述籽晶缩颈至第二直径；在第三引晶阶段内，保持所述第二直径不变进行引晶，直至...
    2025-12-01
  • 大比例颗粒硅制备N型单晶硅棒的方法
    大比例颗粒硅制备N型单晶硅棒的方法_宇泽新能源(昆明)有限公司_202511206934.5
    本发明涉及单晶硅棒的制备技术领域，公开了大比例颗粒硅制备N型单晶硅棒的方法，包括：将硅料和掺杂剂于坩埚中化料后进行提拉单晶；硅料包括N型颗粒硅和循环料，二者之比为55~65 : 35~45；化料和补料过程中设置操作参数：温度为1300℃~1...
    2025-12-01
  • 一种单晶炉加料卡扣定时回弹系统
    一种单晶炉加料卡扣定时回弹系统_上海新昇半导体科技有限公司_202511543879.9
    本发明提供一种单晶炉加料卡扣定时回弹系统，本发明的单晶炉加料卡扣定时回弹系统包括加料卡扣机构，包括可相对转动的两个连接板；齿轮组件，包括计时组和闹铃控制组；传动杆组件，传动杆组件一端与加料卡扣机构连接，另一端与齿轮组件联动；其中，当加料卡扣...
    2025-12-01
  • 一种CCZ用新型下料结构及控制方法
    一种CCZ用新型下料结构及控制方法_包头美科硅能源有限公司_202511175858.6
    本发明涉及CCZ下料技术领域，具体涉及一种CCZ用新型下料结构及控制方法，包括导流筒、输料管、下料管、摆动机构和刮料机构，导流筒能够竖直移动的安装于单晶炉内，导流筒侧壁设置有支管，导流筒与下料管顶部一侧通过支管固定连接且相互连通，下料管和导...
    2025-12-01
  • 一种双热屏单晶炉
    一种双热屏单晶炉_宁夏大学_202511216318.8
    本发明公开了一种双热屏单晶炉，属于光伏设备单晶硅生长技术领域，本发明在单晶炉内引入双热屏结构，对熔体自由表面附近的氩气流动路径进行导流，进而消除热屏外侧的氩气涡流，避免了挥发的杂质气体在热屏外侧沉积后回落入熔体中造成熔体污染与“断晶”的风险...
    2025-12-01
  • 一种具有双热输运行为的Cs3Bi2I9单晶材料及其制备方法与应用
    一种具有双热输运行为的Cs3Bi2I9单晶材料及其制备方法与应用_同济大学_202511534836.4
    本发明涉及一种具有双热输运行为的Cs3Bi2I9单晶材料及其制备方法与应用，属于单晶材料技术领域。所述制备方法包括以下步骤：将CsI和BiI3按化学计量比混合研磨均匀后转移至石英管中，抽真空封装，依次进行高温熔融、淬火和退火，得到致密度不小...
    2025-12-01
  • 铝箔及其制备方法
    铝箔及其制备方法_南通海星电子股份有限公司_202511180750.6
    本公开提供铝箔及其制备方法，制备方法包括：在混合酸液中对铝箔进行电化学腐蚀，其中，电化学腐蚀采用的交流电的半周期包括多个波峰，混合酸液包括硝酸和磷酸中的至少一种；对铝箔进行钝化处理；对铝箔进行水洗；重复电化学腐蚀、钝化处理和水洗的步骤，直到...
    2025-12-01
  • 用于电沉积铜箔的复合带材及其制备方法、双面粗糙化铜箔及其制备方法
    用于电沉积铜箔的复合带材及其制备方法、双面粗糙化铜箔及其制备方法_九江德福科技股份有限公司_202511340286.2
    本发明属于电子电路材料加工技术领域，尤其涉及一种用于电沉积铜箔的复合带材及其制备方法、双面粗糙化铜箔及其制备方法。与现有技术相比，本发明通过对金属带材的表面进行电化学抛光处理使其具有可控的粗糙度，再在具有该可控粗糙度的表面设计合金层使电沉积...
    2025-12-01
  • 一种对p型碲化铋进行表面处理的方法
    一种对p型碲化铋进行表面处理的方法_武汉赛格瑞新材料有限公司_202511168775.4
    本发明提供了一种对p型碲化铋热电材料进行表面处理的方法，本方法采用阳极电解工艺，p型碲化铋作为阳极，在外加电场的作用下，其中部分的Te、Sb在碱性的NaOH溶液中失去电子被氧化，致使材料表面局部发生氧化反应而被消耗，实现了对p型碲化铋进行表...
    2025-12-01
  • 一种多孔碳化硅、多孔碳化硅@G复合材料及其制备方法与应用
    一种多孔碳化硅、多孔碳化硅@G复合材料及其制备方法与应用_山东大学_202511492118.5
    本发明涉及一种多孔碳化硅、多孔碳化硅@G复合材料及其制备方法与应用，属于半导体材料的技术领域。多孔碳化硅的制备方法以碳化硅为阳极，Pt为阴极，氢氧化钾水溶液为电解液，控制氢氧化钾水溶液温度，采用两步恒压恒流刻蚀，在对碳化硅表面进行溶液电化学...
    2025-12-01
  • 一种微孔铜箔的制备方法
    一种微孔铜箔的制备方法_九江琥珀新材料有限公司_202511127686.5
    本发明提供了一种微孔铜箔的制备方法，包括以下步骤：将氧化剂、缓蚀剂、络合剂、表面活性剂和水混合，调节pH值，得到腐蚀液；以电解铜箔为阳极，特定点位的阴极板为阴极在腐蚀液中进行电化学刻蚀，形成铜箔；将刻蚀得到的铜箔清洗后置于防氧化液中钝化处理...
    2025-12-01
  • 电镀载具、电镀装置、电镀方法、太阳电池及光伏组件
    电镀载具、电镀装置、电镀方法、太阳电池及光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202410869788.3
    本申请涉及太阳电池电镀装置技术领域，尤其涉及电镀载具、电镀装置、电镀方法、太阳电池及光伏组件。该电镀载具包括第一模组件以及第二模组件，第二模组件包括第一边框以及第一导电条。第一边框的内侧边缘限定的区域为镂空区域。第一导电条环绕设置在第一边框...
    2025-12-01
  • 用于改善被镀物的电镀质量及防止光泽降低的电镀装置
    用于改善被镀物的电镀质量及防止光泽降低的电镀装置_株式会社TPS电子通信_202510300725.0
    本发明涉及用于改善被镀物的电镀质量及防止光泽降低的电镀装置，用于提高垂直连续电镀槽或普通电镀槽(Dip type)的电镀质量及增加制造收率。该电镀装置包括电镀槽、供液部、基板挂置架以及挂置架移动部，挂置架移动部设置在基板挂置架的上部，分别沿...
    2025-12-01
  • 晶圆夹具、半导体设备及电镀方法
    晶圆夹具、半导体设备及电镀方法_江苏无锡经纬天地半导体科技有限公司_202511544480.2
    本发明涉及晶圆制造技术领域，公开了一种晶圆夹具、半导体设备及电镀方法。晶圆夹具包括底座、密封圈和压头；底座呈环形，密封圈安装在底座上，压头能盖设在底座上，并对晶圆的背面施加密封的外部压力以将晶圆抵压在密封圈上，此时底座与压头之间形成环形空间...
    2025-12-01
  • 一种金刚石滚轮电镀装置
    一种金刚石滚轮电镀装置_苏州佰特图磨削技术有限公司_202511207449.X
    本发明涉及金刚石滚轮制造技术领域，公开了一种金刚石滚轮电镀装置，包括底座，所述底座的上表面设置有电镀池、支架一、过滤桶和支架二，所述支架一安装有电机一，所述电机一的输出端固定设置有主动轴，所述主动轴的外壁固定连接有皮带轮一，所述皮带轮一连接...
    2025-12-01
  • 一种锂电铜箔多槽钝化液智能导向系统
    一种锂电铜箔多槽钝化液智能导向系统_九江琥珀新材料有限公司_202510946330.8
    本发明涉及锂电池用电解铜箔制造领域，公开了一种锂电铜箔多槽钝化液智能导向系统，所述智能导向系统包括：制液罐1、储液罐1、制液罐2、储液罐2、变频泵、过滤器、换热板、加热棒、加热罐、控制阀、生箔机Ⅰ、生箔机Ⅱ；所述一路钝化液先后经过制液罐1、...
    2025-12-01
  • 一种真空阳极氧化装置及其氧化方法
    一种真空阳极氧化装置及其氧化方法_华南理工大学_202511043114.9
    本发明公开了一种真空阳极氧化装置及其氧化方法，包括炉体组件、至少一组阳极组件和至少一组阴极组件。其中，至少一组阳极组件，所述阳极组件包括阳极板、阳极导电杆和第一锁紧组件；至少一组阴极组件，所述阴极组件包括阴极板、阴极导电杆和第二锁紧组件；其...
    2025-12-01
  • 一种针对生物降解膜加工用的压辊表面镀钛工艺
    一种针对生物降解膜加工用的压辊表面镀钛工艺_东莞市裕源新材料有限公司_202511175867.5
    本发明公开了一种针对生物降解膜加工用的压辊表面镀钛工艺，包括：超净预处理、梯度电镀钛层、微结构强化、智能闭环净化处理、智能干燥与缺陷检测及自适应工艺校准。本发明通过超净预处理为电镀创造原子级洁净表面，再结合梯度电镀钛层技术实现20μm镀层厚...
    2025-12-01
  • 一种晶粒尺寸梯度结构金属钴及其电沉积可控制备方法
    一种晶粒尺寸梯度结构金属钴及其电沉积可控制备方法_南京理工大学_202511162629.0
    本发明属于先进金属材料制备技术领域，具体涉及一种晶粒尺寸梯度结构金属钴及其电沉积可控制备方法。方法采用电沉积工艺，以金属钴为阳极，以钛、铜、铜合金、镍、镍合金或钢为阴极，保持镀液的pH为2±0.25，保持温度恒定在70±2℃，控制电流密度和...
    2025-12-01
  • 用于电化学滤波的FeNi纳米锥结构的合成
    用于电化学滤波的FeNi纳米锥结构的合成_天津理工大学_202410653556.4
    本发明制备了高性能FeNi纳米锥结构滤波超级电容器电极材料。利用电化学沉积的方法，在钛片上原位沉积了FeNi纳米锥阵列结构，通过改变电沉积的温度、时间和电沉积电流密度三个参数，制备出不同锥尖曲率的FeNi纳米锥阵列。基于该结构的超级电容器在...
    2025-12-01
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