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  • 提供用于半导体应用的对准的方法及系统。一种方法包含通过分别用不同对准方法将由成像子系统产生的形成在样品上的对准目标的多个例子的图像单独对准到所述对准目标的所渲染图像来针对所述对准目标的所述多个例子确定不同对准到设计偏移。所述方法还包含识别在...
  • 本公开提供了一种校准衬底输送装置的方法,所述衬底输送装置包括:第一衬底支撑件和第二衬底支撑件、与所述第一衬底支撑件相关联的第一机器人臂、以及与所述第二衬底支撑件相关联的第二机器人臂,其中,所述第一衬底支撑件设置有第一传感器,所述第一传感器是...
  • 用于调试半导体加工工具的方法和设备包括将移动设施车连接到半导体加工工具;将来自所述移动设施车的设施提供给半导体加工工具;以及使用通过所述连接的移动设施车提供的设施操作所述半导体加工工具。
  • 一种对准组件包括传感器和盖,所述盖包括第一窗口。所述对准组件还包括旋转接头,所述旋转接头耦接到所述盖。所述对准组件还包括夹具,所述夹具耦接到所述旋转接头并且可绕着所述旋转接头相对于所述盖枢转。所述夹具包括可延伸臂,所述可延伸臂可从缩回位置移...
  • 本发明提供一种有轨台车系统(1),其具备:异常区间推定部(83),其推定发生异常的区间即异常区间;路径生成部(85),其生成将由异常区间推定部(83)所推定的多个异常推定区间加以连接的检查路径;检查台车(60),其具有可获取自车的位置信息的...
  • 一种待被安装至真空晶圆处理腔的晶圆保持器和处理装置,包括:·具有环形表面的基座装置;·金属圆形晶圆承载板,其居中地安装在相对于所述环形表面的中心对中的驱动轴上,所述驱动轴与承载板一起能够绕穿过所述环形表面的所述中心的旋转轴线Z相对于所述基座...
  • 一种工艺条件测量装置可包含由底部衬底、间隔件及盖制成的衬底。所述工艺条件测量装置可包含组件。所述组件可安置于由所述底部衬底界定的腔及由所述间隔件界定的通孔内。所述盖可安置于所述组件上方且覆盖所述组件。所述盖可为全盖或部分盖。所述组件也可安置...
  • 一种方法包括透过处理装置取得指示基板的重迭误差的第一数据。所述方法进一步包括基于所述第一数据产生指示所述基板的第一应力均匀性的第二数据。所述方法进一步包括基于所述第二数据实行校正动作。
  • 本发明提供一种电子部件的搭载装置以及电子部件的搭载方法。电子部件(60)的搭载装置(10)具备工作台(11)、搭载头(21)、红外线相机(41)以及第一红外线源(31)。工作台(11)具有能够载置基板(50)的主面(11A)。搭载头(21)...
  • 一种处理系统,对第一基板和第二基板接合而成的重合基板进行处理,该处理系统包括:激光照射装置,其对所述重合基板进行处理;以及搬送装置,其搬送所述重合基板,其中,所述激光照射装置包括探测机构,所述探测机构在与所述搬送装置之间进行所述重合基板的交...
  • 提供一种可有效地降低图案的倒塌率的技术。基板处理方法具备保持工序、液体供给工序、干燥液供给工序及干燥工序。在保持工序中,保持具有形成有图案的第1主面及与第1主面相反侧的第2主面的基板。在液体供给工序中,对基板的上述第1主面供给处理液。在干燥...
  • 本发明高效地对腔室内的配件进行清洁。一种由等离子体处理装置执行的等离子体处理方法,该等离子体处理装置具备:腔室;基板支承部,配置在所述腔室的内部;上部电极,与所述基板支承部的基板支承面对置;电磁铁,配置在所述腔室的上部;等离子体源,构成为在...
  • 公开晶圆结构体的激光热处理方法及应用其的半导体器件的制备方法。所公开的晶圆结构体的激光热处理方法可包括如下步骤:准备整体结构为圆形或至少一部分结构为圆形的晶圆结构体;利用掩膜部件暴露所述晶圆结构体的一面部并掩蔽所述晶圆结构体的周围区域,所述...
  • 提供电特性良好的晶体管。提供通态电流大的晶体管。提供寄生电容小的晶体管。提供能够实现微型化或高集成化的晶体管、半导体装置或存储装置。一种包含铟、锌及元素M的氧化物半导体层,元素M为镓、锡和钇中的一个以上,氧化物半导体层包括第一区域、第一区域...
  • 基板接合装置1具有:等离子体处理单元2p;负载锁定室12,被搬入应在等离子体处理单元2p处理的基板W;解除负载锁定室14,被搬入已经被等离子体处理单元2p处理过的基板W;第一搬运机器人R1,将第一基板W1以及第二基板W2同时搬入负载锁定室1...
  • 该介电元件具备衬底;基底层,配置于衬底上;以及氮化物薄膜,配置于基底层上,基底层由选自稀土元素中的任一种元素构成,氮化物薄膜含有钪、以及周期表中的第十三族元素和第十五族元素。
  • 本发明涉及器件,该器件包含钙钛矿层、空穴传输层、电子传输层以及布置在衬底上的透明导电层,该钙钛矿层包含式(I)的钙钛矿化合物:CsaaFAbbMAccPbddSn(1‑d)(1‑d)X33 ‑‑式(I),其中Cs表示铯;FA表示‑CH(NH...
  • 根据实施方式的显示装置包括:衬底,包括显示区域和非显示区域;发光元件层,设置在显示区域上并且包括像素电极、有机发光层和公共电极;电路单元,设置在非显示区域上并且包括多个电路晶体管;以及像素限定层,从显示区域延伸到电路单元,其中,像素限定层包...
  • 一种显示面板(100)及显示装置(1000),显示面板具有显示区(A)和围绕显示区的周边区(B),周边区包括第一边框区(B1);显示面板包括衬底(10)、多个子像素(20)、第一初始化信号线(VL1)、多个第一类绑定引脚(60)和第一初始化...
  • 照明装置包括布置在载体上的相应的多个第一和第二发光二极管M‑LED、N‑LED。每个M‑LED包括具有第一表面积SA1的管芯,该第一表面积SA1具有至多100微米的最大空间范围SE1。N‑LED被布置在载体上,每个N‑LED包括具有第二表面...
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