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最新专利技术
  • 一种提高p型碲化铋晶棒热电性能的方法
    一种提高p型碲化铋晶棒热电性能的方法_江西铜业技术研究院有限公司_202511807682.1
    本发明公开了一种提高p型碲化铋晶棒热电性能的方法，涉及热电材料技术领域。本发明所提供的方法，先在180‑230℃对碲化铋原料压制成的坯体进行放电等离子烧结，随后再将温度提高50‑320℃，对烧结块体进行保温热处理，SPS烧结的步骤可以保留大...
    2026-04-24
  • 氮化铝单晶衬底-镓基有序薄膜复合材料及其制备方法
    氮化铝单晶衬底-镓基有序薄膜复合材料及其制备方法_浙江大学_202511809136.1
    本发明公开了一种氮化铝单晶‑镓基有序薄膜复合材料及其制备方法。它是在氮化铝单晶衬底上，以金属镓薄膜作为前驱体，通过可控氧化、氮化过程中，在衬底表面形成外延型氧化镓或氮化镓有序薄膜，从而获得氮化铝单晶‑镓基有序薄膜复合材料。本发明的复合材料兼...
    2026-04-24
  • 一种碳化硅外延设备及外延片制造方法
    一种碳化硅外延设备及外延片制造方法_南京盛鑫半导体材料有限公司_202610074846.2
    本发明公开了一种碳化硅外延设备及外延片制造方法，所述设备的气浮托盘上表面中部开有凹槽，进气系统包括五条平行设置的进气通道，进气通道进气方向平行于气浮托盘上表面；五条进气通道包括位于中部的中心气路、位于中心气路两侧的两条次边缘气路、位于次边缘...
    2026-04-24
  • 一种快速制备大直径晶体的碳化硅生长方法
    一种快速制备大直径晶体的碳化硅生长方法_安徽微芯长江半导体材料有限公司_202610024940.7
    本申请涉及一种快速制备大直径晶体的碳化硅生长方法技术领域，具体公开了一种快速制备大直径晶体的碳化硅生长方法，旨在解决传统物理气相传输法扩径效率低、周期长、成本高且易产生多晶包裹与堆垛层错等缺陷的问题。该方法采用圆柱形碳化硅籽晶，将其C面完全...
    2026-04-24
  • 碳化硅外延片及其制备方法
    碳化硅外延片及其制备方法_中科汇珠(广州)半导体有限公司_202511925675.1
    本申请涉及碳化硅外延片及其制备方法。本申请的碳化硅外延片的制备方法，包括如下步骤：于生长温度下在碳化硅衬底上外延生长碳化硅外延层，得到待冷却晶圆；控制降温速率为第一降温速率，将待冷却晶圆由生长温度降温至第一温度；控制降温速率为第二降温速率，...
    2026-04-24
  • 基于Bi2WO6单晶薄膜的室温超高选择性耐湿气体传感器
    基于Bi2WO6单晶薄膜的室温超高选择性耐湿气体传感器_合肥工业大学_202512057365.9
    本发明公开了基于Bi2WO6单晶薄膜的室温超高选择性耐湿气体传感器，采用激光分子束外延(LMBE)技术制得不同厚度Bi2WO6薄膜，当厚度不高于130 nm时薄膜保持优异单晶织构；通过分析厚度效应，评估NO2响应势垒变化与形态参数依赖性。基...
    2026-04-24
  • 一种晶态KZnP3O9缓蚀剂的制备方法及应用
    一种晶态KZnP3O9缓蚀剂的制备方法及应用_河南工业大学_202512005595.0
    一种晶态KZnP3O9缓蚀剂的制备方法及应用，其晶体结构的基本构筑单元为(PO3)∞链，该链由PO4四面体连接形成；所述(PO3)∞链通过共用氧原子在三维空间延伸，形成长程有序的、基于偏磷酸根(PO3‑)的三维网状结构。本发明设计的缓蚀剂具...
    2026-04-24
  • 一种快速生长单晶钙钛矿薄膜的方法
    一种快速生长单晶钙钛矿薄膜的方法_中山大学_202511844214.1
    本发明公开了一种快速生长单晶钙钛矿薄膜的方法，包括如下步骤：错切的蓝宝石衬底退火处理得到具有平行排列台阶的衬底；将AX3、BX和有机溶剂混合并搅拌得到B3A2X9前驱体溶液；其中，A选自Bi、Sb中的一种；B选自Cs、MA中的一种；X选自I...
    2026-04-24
  • 一种单晶炉及其使用方法
    一种单晶炉及其使用方法_福建名炬自动化科技有限公司_202511962753.5
    本发明涉及一种单晶炉及其使用方法，单晶炉包括炉体和所述炉体上侧座体上由伺服减速电机驱动的丝杆滑台模组，炉体铰接有炉体门，炉体门上设置有观察窗，炉体的顶部设置有与炉体连通的密封座，炉体的背部设置有与炉体连通的法兰连接座，炉体、炉体门、观察窗、...
    2026-04-24
  • 一种拉晶装置及拉晶方法
    一种拉晶装置及拉晶方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511869249.0
    本公开涉及拉晶装置及拉晶方法。在一方面中，提供了一种拉晶装置，该拉晶装置包括：坩埚，容纳有硅熔体；驱动器，驱动坩埚运动；以及控制器，与驱动器通信连接，控制器被配置为在检测到坩埚内的硅熔体熔化完成后，在开始提拉晶体前，控制驱动器驱动坩埚同时执...
    2026-04-24
  • 多晶金刚石复合材料及其制备方法和在拉丝模坯制备中的应用
    多晶金刚石复合材料及其制备方法和在拉丝模坯制备中的应用_郑州磨料磨具磨削研究所有限公司_202511957021.7
    本发明提供了一种多晶金刚石复合材料及其制备方法和在拉丝模坯制备中的应用。所述多晶金刚石复合材料包括位于芯部的细粒度多晶金刚石脱钴烧结体和外部的大粒度多晶金刚石烧结体，两者均有特殊配方和特殊工艺协同作用，尤其是细粒度多晶金刚石脱钴烧结体制备用...
    2026-04-24
  • 一种抽气组件和半导体薄膜沉积设备
    一种抽气组件和半导体薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511935884.4
    本申请实施例提供了一种抽气组件和半导体薄膜沉积设备。抽气组件包括：第一本体，所述第一本体具有环本体，所述环本体设置有沿其周向延伸的第一缝隙；第二本体，所述第二本体由多个滑块沿所述环本体的周向拼接形成；各个滑块以可拆卸方式设置于所述环本体，每...
    2026-04-24
  • 一种基于原位高温退火强化的单晶金刚石拼接缝外延愈合方法
    一种基于原位高温退火强化的单晶金刚石拼接缝外延愈合方法_无锡鑫磊精工科技有限公司_202512005568.3
    本发明涉及一种基于原位高温退火强化的单晶金刚石拼接缝外延愈合方法，属于人造金刚石领域。选取单晶金刚石作为籽晶，对籽晶进行预处理，然后在微波等离子体化学气相沉积MPCVD反应腔内进行多阶段表面复制生长，将表面复制生长后的晶体进行分片获得单晶金...
    2026-04-24
  • 一种用于碳化硅外延生长的石墨盘和环
    一种用于碳化硅外延生长的石墨盘和环_浙江六方半导体科技有限公司_202511635052.0
    本发明涉及一种用于碳化硅外延生长的石墨盘和环，用于作为碳化硅外延生长的承载基座，包括石墨盘和石墨环，石墨环与石墨盘一体成型，沿石墨盘的径向，石墨环位于石墨盘的径向外侧，沿石墨盘的轴向，石墨盘的高度小于石墨环的高度，石墨盘和石墨环围设有开口槽...
    2026-04-24
  • 一种用于BCD产品用外延片ZDD改善的方法及外延机
    一种用于BCD产品用外延片ZDD改善的方法及外延机_上海晶盟硅材料有限公司_202512022605.1
    本发明属于半导体制造技术领域，具体的说是一种用于BCD产品用外延片ZDD改善的方法及外延机，包括：外延机本体，其内部设置有工作腔室；加热基座，设置于所述工作腔室内，所述加热基座上沿径向从内向外依次设置有多个同心的环形腔，每一所述环形腔内对应...
    2026-04-24
  • 反射器、室装置、半导体处理系统及材料层沉积方法
    反射器、室装置、半导体处理系统及材料层沉积方法_ASMIP私人控股有限公司_202511387144.1
    一种反射器包括主体，主体具有由主体厚度分开的第一表面和第二表面，第一表面具有第一孔，第二表面具有反射材料和第二孔。孔通过延伸穿过主体的通道流体联接，其中一个孔定位成比另一个孔更靠近侧面。通道成角度以相对于反射器主体以倾斜的流动角度从第二孔流...
    2026-04-24
  • 一种改善单片炉连长一致性的外延工艺
    一种改善单片炉连长一致性的外延工艺_南京盛鑫半导体材料有限公司_202610074848.1
    本发明公开了一种改善单片炉连长一致性的外延工艺，包括以下步骤：S1、将硅片放置于外延炉中，通入氢气，并将炉内温度升高；S2、在氢气氛围下，通入氯化氢进行气相抛光；S3、关闭氯化氢，在氢气氛围下烘烤；S4、在氢气氛围下，通入三氯氢硅、磷烷，在...
    2026-04-24
  • 基于氩气手套箱的高纯碳化硅合成工艺及双工位炉
    基于氩气手套箱的高纯碳化硅合成工艺及双工位炉_辽宁鸣舜科技有限公司_202610255408.6
    本发明涉及硅晶体合成技术领域，公开了基于氩气手套箱的高纯碳化硅合成工艺及双工位炉，包括以下步骤：碳化硅原料合成室通过过渡室一将原料合成坩埚放置在碳化硅原料合成室的坩埚托盘上，坩埚上升至预定位置后，执行原料合成工艺；所述过渡室一中，原料合成执...
    2026-04-24
  • 判断薄膜生长准确性的方法
    判断薄膜生长准确性的方法_上海新微半导体有限公司_202511965385.X
    本发明提供了一种薄膜生长准确性的判断方法，包括：S01：提供一参考片，分别获取参考片在暗态下的第一暗态阈值电压和在光态下的第一光态阈值电压，得到参考片的参考阈值电压；S02：测量并得到参考片的第一流片阈值电压；S03：将参考阈值电压与第一流...
    2026-04-24
  • 单晶炉
    单晶炉_青海晶科能源有限公司_202610007270.8
    本申请实施例涉及单晶生产领域，提供一种单晶炉，包括副室和拉晶装置，拉晶装置设置在副室内，拉晶装置包括：外衬组件，设于副室的内壁上；夹持组件，可转动地与外衬组件连接，夹持组件沿副室的延伸方向可运动地与外衬组件连接，夹持组件包括至少两个夹持部件...
    2026-04-24
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