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  • 本发明提供一种外延片,其在电阻率为10Ω·cm以上且5000Ω·cm以下的单晶硅基板上依次具备硅外延膜、电介质层,所述硅外延膜的碳浓度为2×1019个原子/cm3以上且小于3×1020个原子/cm3,并且所述硅外延膜包含碳缺陷,所述硅外延膜...
  • 本发明镀覆部件的制造方法具有:镀覆工序,在镀覆部件的表面上,使用以三价铬为主成分的镀覆液形成硬质镀铬膜;以及研磨工序或磨削工序,在所述镀覆工序之后,使用在采用纳米压痕法(ISO14577)的破碎试验中在580±80mN的按压负荷下破碎的磨粒...
  • 本发明涉及一种用于零间隙电解池中CO2电解的膜组件,特别是用于零间隙电解池中CO2电解的膜电极组件,以及对应的零间隙电解池和用于生产这种膜组件的方法。因此,提出了一种用于在零间隙池电解器中支持CO2电解的膜组件(10),其包括阴离子交换离聚...
  • 本发明提出了一种用于电解槽的气液分离器(GLSan,GLSca)的操作的系统和方法,该电解槽包括堆(10),沿碱液液位(,)将电解液和气体分离开的阳极和阴极气液分离器,氧气和氢气通过气体控制阀(,)从它们各自的腔室流出,其特征在于,该调节使...
  • 本发明涉及一种通过非均相催化电解生产和储存氢气的方法以及用于该方法的装置。本发明具体地涉及使用电极(6、7)通过直流电电解淡水或海水(H2O), 所述电极的结构由多孔基材(8)(优选活性炭)和由过渡金属的氧化物、氮化物或氢氧化物(优选二氧化...
  • 本发明涉及硫化合物的碱性盐作为金属腐蚀抑制剂的用途,特别是在石油、天然气和/或采矿业领域中作为金属腐蚀抑制剂的用途,所述硫化合物特别是具有硫醇官能团的氨基酸,例如半胱氨酸或同型半胱氨酸。本发明还涉及包含硫化合物的碱性盐的抗腐蚀配制物,以及其...
  • 本发明涉及多阶段方法,其中一系列各自具有钢表面的部件最初被提供基于元素Zr和/或Ti的转化层,并且随后被浸涂,其中转化处理阶段后面是冲洗阶段,在所述冲洗阶段中,使各部件的至少钢表面与含有过氧化氢的含水组合物接触。在根据本发明的方法中,即使在...
  • 提出了用于基于电极区域的选择性衬底处理的装置和方法。在一些实施方案中,选择性地处理半导体衬底可包括:施加第一量的功率至电极的至少第一区域,使得半导体衬底的至少第一对应区域经历基于至少一种处理气体的第一沉积处理;及施加第二量的功率至电极的至少...
  • 本发明提供一种基板处理装置,包括:处理室,在内部形成有工艺处理空间;扩散盖,提供供应到所述处理室的处理气体的扩散空间;喷头,结合到所述扩散盖并在所述扩散空间中喷射处理气体;以及,基板支撑部,在所述处理室内部升高及降低基板,其中,所述扩散盖包...
  • 一种用于在金属层上沉积含硅电介质层的固有选择性工艺,包括利用含硅和硫的化学前驱体以及氧化剂的原子层沉积或化学气相沉积。在金属层与选择性沉积薄膜之间可选地存在缓冲层。
  • 一种静电吸盘系统,其特征在于,具有:静电吸盘,所述静电吸盘用于吸附被吸附体,所述静电吸盘设置有从吸附被吸附体的吸附面贯通至相反侧的面的至少一个切口部;拍摄构件,所述拍摄构件能够经由切口部对被吸附体进行拍摄;以及判定构件,所述判定构件基于由拍...
  • 根据实施方案的溅射装置包括:提供溅射空间的腔室;安装在所述腔室中并且包含溅射物质的溅射靶;以及面向所述溅射靶的靶基板。所述溅射靶包括设置在第一部分中的第一分段材料和设置在第二部分中的第二分段材料,并且所述第一分段材料中的所述溅射物质的组成比...
  • 本发明涉及一种涂覆基材,优选为在广泛的应用范围内、尤其是切削和/或成形应用中具有出色性能的涂覆工具。所述涂覆基材涂覆有一种包含AlCrN底层和AlCrSiN上部层的涂层体系。
  • 掩模可以具备:基材,其包含基材第一面、位于基材第一面的相反侧的基材第二面、以及从基材第一面向基材第二面贯通的至少一个第一开口;以及层叠体,其包含磁性层和非磁性层,该磁性层包含与基材第二面对置的第一面、位于第一面的相反侧的第二面、以及磁性金属...
  • 马氏体钢板包含以下元素:0.07%≦C≦0.12%;1.9%≦Mn≦2.5%;0.2%≦Si≦0.6%;0.01%≦Al≦0.1%;0.1%≦Cr≦0.5%;0.2%≦Mo≦0.6%;0.001%≦Nb≦0.1%;0.001%≦Ti≦0.1...
  • 一种热轧钢板,其具有包含以下元素的组成:0.03%≤C≤0.070%,0.4%≤Mn≤0.9%,0.01%≤Al≤0.08%,0.01%≤Nb≤0.08%,0.05%≤Ti≤0.15%,0.0005%≤Ca≤0.005%,0%≤P≤0.03...
  • 一种硬质合金,含有合计为8.0~28.0质量%的Co和Ni,(Co的质量)/(Ni的质量)为1.0~4.0,并且含有0.5~2.5质量%的Cr、4.2~5.7质量%的C、超过0.0质量%且1.0质量%以下的Zr,剩余部分由W及不可避免的杂质...
  • 一种铜合金,其导电性优异且杨氏模量低而弹性变形量充分大、即使在受到较大变形的情况下也不易发生塑性变形,所述铜合金为如下组成:包含15质量%以上且57质量%以下的Zn,包含12质量%以下的Al,在将Zn的含量设为A质量%,将Al的含量设为B质...
  • 一种金属多孔质体,其是由在内部形成有多个气孔的金属构成的金属多孔质体,其中,所述气孔的当量圆直径的算术平均M1为50μm以上且500μm以下,所述气孔的当量圆直径的变异系数为0以上且1.3以下,所述气孔的当量圆直径的算术平均M1以及所述气孔...
  • 本发明提供一种金属离子的萃取方法,其使含有金属离子的水相与含有酸性萃取剂的油相在流通中途合流而混合两相之后进行相分离,将金属离子萃取到油相中,将所流通的油相中的酸性萃取剂的含量设为35~100体积%,上述金属离子的萃取方法包括:在将流通过来...
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