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龙图腾网恭喜山东大学申请的专利一种倒装GaN基HEMT-LED集成器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110289281B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910682754.2，技术领域涉及：H01L27/15；该发明授权一种倒装GaN基HEMT-LED集成器件及其制备方法是由徐明升;王晓敏;葛磊设计研发完成，并于2019-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种倒装GaN基HEMT-LED集成器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种倒装GaN基HEMT‑LED集成器件，自上而下依次包括衬底、缓冲层，缓冲层的下表面一部分设置有N型导电层，另一部分设置有氮化镓GaN沟道层，在N型导电层的下表面自上而下依次包括多量子阱有源区、P型导电层、P型欧姆接触反射镜、P电极和P电极基板，氮化镓GaN沟道层的下表面设置有铝镓氮AlGaN势垒层，铝镓氮AlGaN势垒层的下表面设置有源电极和栅电极，源电极和栅电极分别连接有源电极基板、栅电极基板，P电极基板、源电极基板和栅电极基板共同设置在散热基板上并与散热基板接触，本发明的集成器件与散热基板通过金属电极接触，热阻小，散热效果好，可以有效的降低HEMT‑LED器件的结温，提高器件发光效率、可靠性和使用寿命。

本发明授权一种倒装GaN基HEMT-LED集成器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装GaN基HEMT-LED集成器件，自上而下依次包括衬底、缓冲层，缓冲层的下表面一部分设置有N型导电层，另一部分设置有氮化镓GaN沟道层，在N型导电层的下表面自上而下依次包括多量子阱有源区、P型导电层、P型欧姆接触反射镜、P电极和P电极基板，氮化镓GaN沟道层的下表面设置有铝镓氮AlGaN势垒层，铝镓氮AlGaN势垒层的下表面设置有源电极和栅电极，源电极和栅电极分别连接有源电极基板、栅电极基板，P电极基板、源电极基板和栅电极基板共同设置在散热基板上并与散热基板接触，多量子阱有源区发出的光透过衬底出射到空气中；氮化镓GaN沟道层为非故意掺杂N型GaN层，厚度为100-1000nm；所述P型导电层为Mg掺杂的GaN层，厚度50-500nm，掺杂浓度为5×1016cm-3-5×1019cm-3，所述P型欧姆接触反射镜为NiAgNi合金反射镜,上层Ni的厚度为0.1-20nm，Ag厚度为20-500nm，下层Ni的厚度为0.1-100nm，所述P电极为TiAu合金电极，Ti厚度为10-100nm，Au厚度100-1000nm；栅电极通过栅介质层设置在铝镓氮AlGaN势垒层的下表面，所述栅介质层为氧化硅层、氮化硅层、氧化铝层或氧化铪层其中一种，厚度10-300nm，所述的栅电极为TiAlTiTiN合金电极,上层Ti厚度为0.1-100nm，Al厚为度0.1-1000nm，下层Ti厚度为10-300nm，TiN厚度为100-1000nm，所述的源电极为TiAlTiTiN合金电极,上层Ti厚度为10-100nm，Al厚度为30-1000nm，下层Ti厚度为30-300nm，TiN厚度为100-1000nm；源电极的一侧设置有绝缘介质层，绝缘介质层位于铝镓氮AlGaN势垒层的下表面，氮化镓GaN沟道层、铝镓氮AlGaN势垒层、栅介质与N型导电层接触，所述散热基板为铜、铝、氮化铝陶瓷或碳化硅基板。

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