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龙图腾网恭喜本征信息技术(苏州)有限公司申请的专利多层单元NAND闪存的一种操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110364209B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910756167.3，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权多层单元NAND闪存的一种操作方法是由陈惕生;耿志远设计研发完成，并于2019-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本多层单元NAND闪存的一种操作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了多层单元NAND闪存的一种操作方法。在一次感测操作中，通过调整NAND串的源极电压以改变待测单元的栅极电压与源极电压的电压差，并检查NAND串的导通情况，可以判断待测单元阈值电压与该电压差的大小关系。在读取数据操作中，根据多次上述感测操作的比较结果，可以确定待测单元中存储的待读数据比特。与不同位线相连的NAND串连接至可独立调整的源极信号，因而可以实现与待测单元状态有关的感测，包括基于调整源极电压的二分串行感测。在编程操作的校验步骤中，可根据目标值调整每个位线对应的源极信号电压，只需一次感测操作，即可完成校验。

本发明授权多层单元NAND闪存的一种操作方法在权利要求书中公布了：1.多层单元NAND闪存的一种读取数据的方法，包括：向待测块中的待测字线加较低的栅极电压，向待测块中的其它字线加较高的栅极电压，使其它字线的存储单元导通；以及不断改变待测块中的各个NAND串的源极电压，并观察NAND串是否导通，直至确定待测单元中的待读数据；其特征在于，通过调整NAND串的源极电压来改变待测单元栅极与源极间的电压差，而不是固定NAND串的源极电压、调整字线的栅极电压来改变待测单元栅极与源极的电压差，与不同位线相连的NAND串的源极连接至独立的源极信号，其电压可以独立调整，而不是所有NAND串连接至同一个共享的源极信号。

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