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龙图腾网恭喜纳晶科技股份有限公司申请的专利发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112670316B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910984674.2，技术领域涉及：H10K59/35；该发明授权发光装置是由任华进;顾辛艳;甄常刮设计研发完成，并于2019-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种发光装置。该发光装置包括基材层以及设置于基材层的第一表面的像素隔离结构，像素隔离结构之间形成多个相互隔离的子像素区域，发光装置还包括：多个发光单元，一一设置于子像素区域中，用于发出不同波长的光，发光单元为电致发光器件，各发光单元的原始外量子效率具有差异；多个光提取结构，一一设置于至少部分子像素区域中，用于提高对应的发光单元的外量子效率，使得各发光单元的实际外量子效率差异减少。上述发光装置中通过将对应于不同发光单元的光提取结构差异化设置，能够对不同发光单元的外量子效率进行优化，使不同发光单元最终的外量子效率接近，实现同步老化，延长装置的使用寿命。

本发明授权发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光装置，包括基材层以及设置于所述基材层的第一表面的像素隔离结构，所述像素隔离结构之间形成多个相互隔离的子像素区域，其特征在于，所述发光装置还包括：多个发光单元，一一设置于各所述子像素区域中，用于发出不同波长的光，所述发光单元为电致发光器件，各所述发光单元的原始外量子效率具有差异；多个光提取结构，一一设置于至少部分所述子像素区域中，用于提高对应的所述发光单元的外量子效率，使得各所述发光单元的实际外量子效率差异减少，定义原始外量子效率最高的所述发光单元为第一发光单元，原始外量子效率最低的所述发光单元为第三发光单元，原始外量子效率介于所述第一发光单元和所述第三发光单元之间的所述发光单元为第二发光单元；多个所述发光单元和多个所述光提取结构一一对应，所述光提取结构对所述第一发光单元的外量子效率提升比为X1，所述光提取结构对所述第二发光单元的外量子效率提升比为X2，所述光提取结构对所述第三发光单元的外量子效率提升比为X3，所述X1、所述X2和所述X3不相等，定义其中，n选自1～3中的任一个自然数，Q1为对应所述发光单元的原始外量子效率，Q2为对应所述发光单元的实际外量子效率，所述光提取结构为具有散射粒子的光散射层，所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元对应的所述光散射层不同，所述第一发光单元发射红光，所述第二发光单元发射绿光，所述第三发光单元发射蓝光，所述光提取结构的厚度为300～800nm中的任意值，所述散射粒子的体积百分比为50～95％；或所述光提取结构的厚度为800～1200nm中的任意值，所述散射粒子的体积百分比为35～50％；或所述光提取结构的厚度为1200～1800nm中的任意值，所述散射粒子的体积百分比为10～35％；所述光散射层中所述散射粒子的D50在150～350nm范围之内；各所述光提取结构的厚度、各所述光提取结构中所述散射粒子的粒径以及所述散射粒子的折光指数均相同，定义与所述第一发光单元对应的所述光提取结构中所述散射粒子的体积百分比为V1，与所述第二发光单元对应的所述光提取结构中所述散射粒子的体积百分比为V2，与所述第三发光单元对应的所述光提取结构中所述散射粒子的体积百分比为V3，所述V1、所述V2和所述V3不相等，V3＞V2＞V1。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人纳晶科技股份有限公司，其通讯地址为：310052 浙江省杭州市滨江区长河街道秋溢路428号3幢3楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。