买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜东京毅力科创株式会社申请的专利蚀刻处理方法和基板处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111293041B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911244697.6，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权蚀刻处理方法和基板处理装置是由昆泰光;宇藤敦司;李黎夫;三轮智典设计研发完成，并于2019-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本蚀刻处理方法和基板处理装置在说明书摘要公布了：本公开涉及一种蚀刻处理方法和基板处理装置，控制将被蚀刻膜同时蚀刻为掩模的不同的图案时的CD。蚀刻处理方法是对在被蚀刻膜上形成有掩模的基板进行蚀刻的处理方法，所述掩模具有第一开口的凹部和第二开口的凹部的图案，所述蚀刻处理方法包括：第一蚀刻工序，将所述被蚀刻膜蚀刻至规定的深度；沉积工序，在所述第一蚀刻工序之后，在所述掩模上沉积保护膜；以及第二蚀刻工序，在所述沉积工序之后，蚀刻所述被蚀刻膜，其中，所述第一开口比所述第二开口小，所述沉积工序使所述第一开口的凹部封闭，不使所述第二开口的凹部封闭。

本发明授权蚀刻处理方法和基板处理装置在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻处理方法，是对在被蚀刻膜上形成有掩模的基板进行蚀刻的处理方法，所述掩模具有第一开口的凹部和第二开口的凹部的图案，所述蚀刻处理方法包括：第一蚀刻工序，将所述被蚀刻膜蚀刻至规定的深度；沉积工序，在所述第一蚀刻工序之后，在所述掩模上沉积保护膜；以及第二蚀刻工序，在所述沉积工序之后，蚀刻所述被蚀刻膜，其中，所述第一开口比所述第二开口小，所述沉积工序使所述第一开口的凹部封闭，不使所述第二开口的凹部封闭，在所述沉积工序中，所述保护膜的沉积于所述第一开口的凹部的图案的侧壁和所述第二开口的凹部的图案的侧壁的形状为悬垂形状。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东京毅力科创株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。