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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利掩膜版制作方法及图形修正方法、半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113759656B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010485290.9，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权掩膜版制作方法及图形修正方法、半导体器件的形成方法是由陈啸;杜杳隽设计研发完成，并于2020-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩膜版制作方法及图形修正方法、半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：掩膜版制作方法及图形修正方法、半导体器件的形成方法，所述修正方法包括：提供初始图形；将所述初始子图形的轮廓分割，得到沿长度方向的第一初始分段和沿宽度方向的第二初始分段；获取每个第一初始分段的第一能量裕度和每个第二初始分段的第二能量裕度；设定第一初始分段的第一扩展偏移量；将第一初始分段沿着宽度方向平移第一扩展偏移量，获取第一分段；根据第一扩展偏移量和第一能量裕度，获取特征曝光能量的偏移量；根据特征曝光能量的偏移量和第二能量裕度，获取第二初始分段的第二扩展偏移量；将第二初始分段沿着长度方向平移第二扩展偏移量，获取第二分段；第一分段和第二分段构成目标图形。

本发明授权掩膜版制作方法及图形修正方法、半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种掩膜版图形修正方法，其特征在于，包括：提供初始图形，所述初始图形包括若干初始子图形；将所述初始子图形的轮廓分割，得到沿长度方向的第一初始分段和沿宽度方向的第二初始分段；获取每个第一初始分段的第一能量裕度和每个第二初始分段的第二能量裕度；设定第一初始分段的第一扩展偏移量；将第一初始分段沿着宽度方向平移第一扩展偏移量，获取第一分段；根据第一扩展偏移量和第一能量裕度，获取特征曝光能量的偏移量；根据特征曝光能量的偏移量和第二能量裕度，获取第二初始分段的第二扩展偏移量；将第二初始分段沿着长度方向平移第二扩展偏移量，获取第二分段；第一分段和第二分段构成目标图形；根据第一扩展偏移量和第一能量裕度，获取特征曝光能量的偏移量的方法包括：根据第k个第一初始分段的第一能量裕度和第一扩展偏移量，获取第k个曝光能量的偏移量，dEk＝dCDX*EL1k；其中，dEk表示第k个曝光能量的偏移量，EL1k表示第k个第一初始分段的第一能量裕度，dCDX表示第一扩展偏移量，N表示第一初始分段的数量，k大于或等于1且小于或等于N的整数；在第一个曝光能量的偏移量至第N个曝光能量的偏移量中获取特征曝光能量的偏移量。

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