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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078702B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010819923.5，技术领域涉及：H01L21/336；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王楠设计研发完成，并于2020-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、分立于衬底上的沟道叠层，沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层，其中最底部的牺牲层作为第一牺牲层，最底部的沟道层作为第一沟道层；形成横跨沟道叠层的伪栅结构；在伪栅结构两侧的沟道叠层中形成源漏掺杂层；去除伪栅结构和牺牲层，形成栅极开口；在第一沟道层和衬底之间形成隔离结构；在剩余的栅极开口中形成栅极结构。本发明实施例工作时，栅极结构不易形成在第一沟道层和衬底之间，栅极结构和衬底不易形成寄生器件，另一方面隔离结构用于电隔离第一沟道层和衬底，栅极结构覆盖第一沟道层的侧壁和顶面，易使得第一沟道层耗尽，有利于提高半导体结构的电学性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底和分立于所述衬底上的多个沟道叠层，所述沟道叠层包括牺牲层和位于所述牺牲层上的沟道层，其中最底部的所述牺牲层作为第一牺牲层，最底部的所述沟道层作为第一沟道层；提供基底的步骤中，所述第一沟道层上的所述沟道层作为第二沟道层；形成横跨所述沟道叠层的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述沟道叠层的部分顶壁和部分侧壁；在所述伪栅结构两侧的所述沟道叠层中形成源漏掺杂层；形成所述源漏掺杂层后，去除所述伪栅结构和牺牲层，形成栅极开口；在所述第一沟道层和所述衬底之间的所述栅极开口中形成隔离结构，形成隔离结构的步骤中，所述隔离结构中形成有孔隙；形成隔离结构的步骤包括：形成保形覆盖所述栅极开口的隔离材料层；去除所述第二沟道层表面以及第一沟道层顶部的所述隔离材料层，剩余的位于所述衬底和所述第一沟道层之间的所述隔离材料层作为所述隔离结构，形成所述隔离材料层的步骤中，所述隔离材料层厚度的两倍大于或等于所述第一沟道层和衬底之间的间距；形成所述隔离结构后，在剩余的所述栅极开口中形成栅极结构；所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述栅极结构前，在所述栅极开口中形成栅介质层，所述栅介质层和隔离结构的材料不同，所述栅介质层和隔离结构在不同步骤中形成。

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