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龙图腾网恭喜华灿光电(苏州)有限公司申请的专利一种衬底获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN221687518U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202322825540.0，技术领域涉及：H01L23/31；该实用新型一种衬底是由王新建;朱广敏;马欢;张舜;陶羽宇设计研发完成，并于2023-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种衬底在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种衬底，属于半导体技术领域。衬底包括陶瓷基板、防扩散层、热膨胀调节层、第一粘附层以及半导体层；所述防扩散层包裹所述陶瓷基板；所述热膨胀调节层设置在所述防扩散层的远离所述陶瓷基板的表面上；所述第一粘附层设置在所述热膨胀调节层的远离所述防扩散层的表面上；所述半导体层设置在所述第一粘附层的远离所述热膨胀调节层的表面上。本公开实施例的衬底由多晶材料制备的大尺寸衬底，其适宜作为MOCVD生长氮化镓薄膜用衬底。

本实用新型一种衬底在权利要求书中公布了：1.一种衬底，其特征在于，包括陶瓷基板、防扩散层、热膨胀调节层、第一粘附层以及半导体层；所述防扩散层包裹所述陶瓷基板；所述热膨胀调节层设置在所述防扩散层的远离所述陶瓷基板的表面上；所述第一粘附层设置在所述热膨胀调节层的远离所述防扩散层的表面上；所述半导体层设置在所述第一粘附层的远离所述热膨胀调节层的表面上；所述热膨胀调节层包括以下任意一种：本征单晶硅层；本征多晶硅层；掺杂有N型掺杂剂和或P型掺杂剂的掺杂多晶硅层或掺杂单晶硅层，且所述N型掺杂剂和或P型掺杂剂降低了所述掺杂多晶硅层或掺杂单晶硅层的电导率。

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