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龙图腾网恭喜江苏芯德半导体科技有限公司申请的专利一种含高中低密度芯片的封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN221687520U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202323299000.X，技术领域涉及：H01L23/31；该实用新型一种含高中低密度芯片的封装结构是由陈晗玥设计研发完成，并于2023-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含高中低密度芯片的封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种含高中低密度芯片的封装结构，在基板内预埋有第二芯片，基板的背面贴装有第三芯片，第三芯片与基板之间填充有填充料三，重分布层贴装有第一芯片，第一芯片与重分布层之间具有填充料一，重分布层上设有塑封层，塑封层包裹第一芯片，塑封层内设有将重分布层和或第一芯片的电路引出的铜柱，铜柱上植有焊球一，载有封装后的第一芯片的重分布层倒装于基板的正面，焊球一与基板连接，塑封层与基板之间填充有填充料二，重分布层的背面植有焊球二，第一、第二、第三芯片分别为高、中、低的凸块密度的芯片。本实用新型结合芯片埋入技术及RDL技术实现不同凸块密度的芯片互联，提供了一种性价比较高的含高中低密度芯片的封装结构。

本实用新型一种含高中低密度芯片的封装结构在权利要求书中公布了：1.一种含高中低密度芯片的封装结构，其特征在于，包括：基板1，所述基板1内预埋有第二芯片2，所述第二芯片2位于靠基板1正面的一侧，所述基板1的背面贴装有第三芯片3，所述第三芯片3与基板1之间填充有填充料三31；重分布层4，所述重分布层4贴装有第一芯片5，所述第一芯片5与重分布层4之间具有填充料一51，所述重分布层4上设有塑封层6，所述塑封层6包裹第一芯片5，所述塑封层6内设有将重分布层4和或第一芯片5的电路引出的铜柱7，所述铜柱7上植有焊球一8；载有封装后的第一芯片5的重分布层4倒装于基板1的正面，所述焊球一8与基板1连接，所述塑封层6与基板1之间填充有填充料二81。

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