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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利位线结构及其制备方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110875314B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811003601.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权位线结构及其制备方法、存储器是由祝啸设计研发完成，并于2018-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本位线结构及其制备方法、存储器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种位线结构及其形成方法、存储器，所述方法包括：在基底上形成多条间隔排列的位线，在位线的顶部和侧壁上形成隔离材料层，在隔离材料层对应位线侧壁的部分上形成高分子聚合物材料层，然后在高分子聚合物材料层与隔离材料层上形成多孔绝缘材料层，最后执行高温退火工艺，使高分子聚合物材料层分解成气体，隔离材料层隔离气体，以保护位线和基底，并使该气体通过多孔绝缘材料层中的多个孔隙逸出，从而在隔离材料层对应位线侧壁的部分上形成空气隙，空气隙能够减小相邻位线之间的寄生电容，提升器件的性能。

本发明授权位线结构及其制备方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种位线结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有多条位线，多条所述位线间隔排列；形成隔离材料层在所述基底和所述位线上，所述隔离材料层覆盖所述位线的顶部和侧壁；形成高分子聚合物材料层在所述隔离材料层上，所述高分子聚合物材料层覆盖所述隔离材料层对应所述位线侧壁的部分，以使所述高分子聚合物材料层间隔所述隔离材料层覆盖所述位线的侧壁；形成多孔绝缘材料层在所述隔离材料层和所述高分子聚合物材料层上，所述多孔绝缘材料层覆盖所述高分子聚合物材料层与所述隔离材料层；执行高温退火工艺，使所述高分子聚合物材料层分解成气体，所述隔离材料层隔绝所述气体并使所述气体从所述多孔绝缘材料层逸出，以界定出空气隙在所述隔离材料层对应所述位线侧壁的部分上，所述空气隙位于所述位线两侧并在所述隔离材料层和所述多孔绝缘材料层之间。

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