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龙图腾网恭喜深圳市必易微电子股份有限公司申请的专利过流保护补偿电路及方法以及反激电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109818507B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910264805.X，技术领域涉及：H02M3/335；该发明授权过流保护补偿电路及方法以及反激电路是由俞秀峰;蓝舟设计研发完成，并于2019-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本过流保护补偿电路及方法以及反激电路在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种过流保护补偿电路及方法以及反激电路，所述补偿电路包括副边去磁时间采样单元以及电流补偿单元；所述副边去磁时间采样单元用以采样副边去磁时间Tdem；电流补偿单元连接所述副边去磁时间采样单元，用以在预设频率下根据获取的副边去磁时间Tdem对原边峰值电流值进行补偿；或者，所述补偿电路包括副边去磁占空比获取单元以及电流补偿单元，副边去磁占空比获取单元用以分别获取副边去磁时间Tdem以及工作开关周期TS，并以此获取副边去磁占空比D_dem；所述电流补偿单元连接所述副边去磁占空比获取单元，用以根据获取的副边去磁占空比D_dem对原边峰值电流值进行补偿。本发明可使补偿后的OLP曲线较为平滑，解决芯片在不同电感应用下的调整率问题。

本发明授权过流保护补偿电路及方法以及反激电路在权利要求书中公布了：1.一种过流保护补偿电路，其特征在于，所述补偿电路包括：副边去磁时间采样单元以及电流补偿单元；所述副边去磁时间采样单元用以采样副边去磁时间Tdem；所述电流补偿单元连接所述副边去磁时间采样单元，用以在预设频率下根据获取的副边去磁时间Tdem对原边峰值电流值进行补偿；或者，所述补偿电路包括副边去磁占空比获取单元以及电流补偿单元，所述副边去磁占空比获取单元用以分别获取副边去磁时间Tdem以及工作开关周期TS，并以此获取副边去磁占空比D_dem；所述电流补偿单元连接所述副边去磁占空比获取单元，用以根据获取的副边去磁占空比D_dem对原边峰值电流值进行补偿；所述过流保护补偿电路包括：去磁检测模块，用以通过开关管的漏极drain去磁结束耦合到芯片门极驱动引脚gate上的信号检测得到Tdem；或者，通过辅助绕组采样的DEM脚检测得到副边去磁时间Tdem；开关周期检测电路，用以通过内部频率振荡器得到开关周期TS；副边去磁占空比获取模块，用以获取副边去磁占空比D_dem，D_dem＝TdemTS；峰值电流补偿模块，用以通过副边去磁占空比D_dem值来补偿峰值电流阈值Vth，从而保持过流电流和D_dem一定关系，以补偿输出电流在不同输入电压时过载的一致性。

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