买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜北京国联万众半导体科技有限公司申请的专利毫米波芯片制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112133666B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011042039.1，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权毫米波芯片制作方法是由张志国;刘育青;张洋阳;李少鹏;安国雨;郭黛翡设计研发完成，并于2020-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本毫米波芯片制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种毫米波芯片制作方法，包括如下步骤：对减薄后的晶圆的背面进行背面光刻，背面光刻的目的是将背面的分片通道进行光刻，将晶圆的有效芯片区域进行保护；背面光刻采用背面分片光刻版将芯片的正面和背面进行双面对准，然后露出背面分片通道；下一步采取化学气体刻蚀的方法，将无光刻胶保护的背面分片区域进行刻蚀，直至刻蚀到保护蜡区域，刻蚀完毕后，进行光刻胶的去除工艺；当背面刻蚀完毕并将背面的光刻胶去除后，将已经减薄的待取芯片晶圆放置在取片装置上，将保护蜡融掉，分立的芯片将在自身重力的作用下自动落入到取片装置上。通过所述方法制备的芯片没有崩边或者毛刺，质量高。

本发明授权毫米波芯片制作方法在权利要求书中公布了：1.一种毫米波芯片制作方法，其特征在于包括如下步骤：对芯片的晶圆（1）正面进行加工工艺，在芯片的晶圆正面工艺做完后，晶圆将进入减薄工艺，在减薄的工艺过程中，将芯片的正面采用保护蜡（2）将晶圆的正面进行保护，然后将整个晶圆粘在晶圆支撑（3）上，此时晶圆的正面朝上，通过保护蜡（2）与晶圆支撑（3）接触，晶圆的背面进行减薄工艺，在减薄的过程中将晶圆减薄至10微米-50微米；当晶圆减薄至目标厚度后，对晶圆的背面进行背面光刻，背面光刻的目的是将背面的分片通道进行光刻，将晶圆的有效芯片区域进行保护；背面光刻采用背面分片光刻版将芯片的正面和背面进行双面对准，然后露出背面分片通道，此时晶圆的有效芯片区域的背面有光刻胶进行保护；下一步采取化学气体刻蚀的方法，将无光刻胶保护的背面分片区域进行刻蚀，直至刻蚀到保护蜡区域，刻蚀完毕后，进行光刻胶的去除工艺；当背面刻蚀完毕并将背面的光刻胶去除后，将已经减薄的待取芯片晶圆放置在取片装置上，将保护蜡融掉，分立的芯片将在自身重力的作用下自动落入到取片装置上；所述取片装置包括支撑架（4），所述支撑架（4）的上端设置有支撑环（5），所述支撑环（5）的内圈与晶圆（1）相适配，待融化保护蜡的晶圆放置到所述支撑环（5）内，所述支撑架（4）的下端设置有金属丝网（6），所述金属丝网（6）用于承接从支撑环掉下的分立的芯片；所述金属丝网（6）所采用的丝网缝隙大小取决于毫米波芯片的尺寸的大小；当获得分立的芯片后，将芯片进行烘干获得完整的可用芯片。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京国联万众半导体科技有限公司，其通讯地址为：101399 北京市顺义区高丽营镇文化营村北(临空二路1号)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。