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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利电容器阵列结构及其制造方法与半导体存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284216B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011068522.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权电容器阵列结构及其制造方法与半导体存储器件是由李秀升设计研发完成，并于2020-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本电容器阵列结构及其制造方法与半导体存储器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种电容器阵列结构的制造方法、电容器阵列结构与半导体存储器件，该制造方法包括：提供一基底；在所述基底上形成电容结构，包括在所述基底上形成下电极层，和在所述下电极层表面形成电容介质层，以及在所述电容介质层表面的形成上电极层，其中，所述上电极层之间具有间隙；形成填充层填充所述间隙；形成覆盖层覆盖所述填充层与所述上电极；其中，所述覆盖层与所填充层结合形成上电极导电层；所述填充层和所述覆盖层的材质包括掺杂多晶硅，且所述覆盖层中的掺杂的锗原子体积浓度大于所述填充层中掺杂的锗原子体积浓度。本公开通过的电容器阵列结构的制造方法，能够减少上电极导电层中的狭缝。

本发明授权电容器阵列结构及其制造方法与半导体存储器件在权利要求书中公布了：1.一种电容器阵列结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底；在所述基底上形成电容结构，包括在所述基底上形成下电极层，和在所述下电极层表面形成电容介质层，以及在所述电容介质层表面的形成上电极层，其中，所述上电极层之间具有间隙；形成填充层填充所述间隙；形成覆盖层覆盖所述填充层与所述上电极层；其中，所述覆盖层与所填充层结合形成上电极导电层；所述填充层和所述覆盖层的材质包括掺杂多晶硅，且所述覆盖层中的掺杂的锗原子体积浓度大于所述填充层中掺杂的锗原子体积浓度。

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