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龙图腾网恭喜晶元光电股份有限公司申请的专利光电元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112510131B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011253368.0，技术领域涉及：H01L33/38；该发明授权光电元件及其制造方法是由陈昭兴;王佳琨;廖健智;曾咨耀;柯淙凯;沈建赋设计研发完成，并于2014-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种光电元件，该光电元件包含：半导体叠层包含第一半导体层，活性层形成于第一半导体层之上以及第二半导体层形成于活性层之上；多个边界裸露出部分第一半导体层，多个边界的相邻两边界构成第一半导体层的角落；绝缘层包含第一开口形成于第二半导体层之上及多个第二开口形成于多个边界的一边界裸露的第一半导体层上；第三电极，延伸覆盖于该多个第二开口上，通过多个第二开口以电连接第一半导体层；以及第四电极形成于该第二半导体层上，通过第一开口以电连接第二半导体层。

本发明授权光电元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光电元件，其特征在于，包含：半导体叠层，包含第一半导体层，活性层形成于该第一半导体层之上以及第二半导体层形成于该活性层之上；多个边界，裸露出部分该第一半导体层，该多个边界的相邻两边界构成该第一半导体层的一角落；第一绝缘层，包含布拉格反射镜DistributedBraggReflector结构，覆盖该活性层及该第二半导体层的侧壁；第一电性电极，形成于该第一半导体层上；第二绝缘层，形成于该第一绝缘层上，包含第一开口形成于该第二半导体层之上及多个第二开口形成于该多个边界的一边界裸露的该第一半导体层上，其中该第一电性电极及该第二绝缘层接触该第一半导体层，该第二绝缘层接触该第一电性电极，且该第一绝缘层未接触该第一电性电极；第三电极，形成于该第二半导体层上，通过该多个第二开口以电连接该第一半导体层；以及第四电极，形成于该第二半导体层上，通过该第一开口以电连接该第二半导体层。

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