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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140588B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110166059.8，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权存储器件及其制造方法是由后藤贤一;林仲德;马礼修设计研发完成，并于2021-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器件及其制造方法在说明书摘要公布了：在一些实施例中，本发明涉及存储器件。在一些实施例中，该存储器件包括衬底和互连结构，设置在该衬底上方。该互连结构包括堆叠的互连金属层，设置在堆叠的层间介电ILD层内。存储器单元设置在上部互连金属层与中间互连金属层之间。选择晶体管连接至该存储器单元，并设置在该中间互连金属层与下部互连金属层之间。通过将该选择晶体管置于两个互连金属层之间的后端互连结构内，节省了前端空间，并且提供了更大的集成灵活性。在一些实施例中，本发明还涉及制造存储器件的方法。

本发明授权存储器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，包括：衬底；互连结构，设置在所述衬底上方，所述互连结构包括堆叠的互连金属层，所述堆叠的互连金属层设置在堆叠的层间介电层内，所述堆叠的互连金属层包括下部互连金属层、中间互连金属层和上部互连金属层，一个设置在另一个上方；存储器单元，设置在所述上部互连金属层与所述中间互连金属层之间；以及选择晶体管，连接至所述存储器单元并设置在所述中间互连金属层与所述下部互连金属层之间，所述选择晶体管包括：选择器沟道层；第一选择器源极漏极区域和第二选择器源极漏极区域，设置在所述选择器沟道层上；以及侧壁间隔件，设置在所述第一选择器源极漏极区域与所述第二选择器源极漏极区域之间并分离。

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