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龙图腾网恭喜周翔;医渡云(北京)技术有限公司申请的专利一种基于残差拟合的模拟消融方法、装置、存储介质及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113974820B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111064065.9，技术领域涉及：A61B18/02；该发明授权一种基于残差拟合的模拟消融方法、装置、存储介质及设备是由周翔;焦晓康设计研发完成，并于2021-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于残差拟合的模拟消融方法、装置、存储介质及设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于残差拟合的模拟消融方法、装置、计算机可读存储介质及设备，所述方法包括：根据目标消融组织模拟对应的目标消融区域；根据所述目标消融区域进行温度场模拟，获得温度分布值；根据所述温度分布值和所述目标消融区域对第一消融针进行消融模拟，获得第一施针参数集、第一覆盖区域和第一残差区域；根据所述第一残差区域对第二消融针进行消融模拟，获得第二施针参数集、第二覆盖区域和第二残差区域，应用本方法，能够对消融进行模拟以实现对施针参数集的精准预测。

本发明授权一种基于残差拟合的模拟消融方法、装置、存储介质及设备在权利要求书中公布了：1.一种基于残差拟合的模拟消融方法，其特征在于，所述方法包括：根据目标消融组织模拟对应的目标消融区域；根据所述目标消融区域进行温度场模拟，获得温度分布值；根据所述温度分布值和所述目标消融区域对第一消融针进行消融模拟，获得第一施针参数集、第一覆盖区域和第一残差区域；根据所述温度分布值和所述第一残差区域对第二消融针进行消融模拟，获得第二施针参数集、第二覆盖区域和第二残差区域；根据所述第一覆盖区域和所述第二覆盖区域确定模拟消融区域；当所述模拟消融区域满足预设指标的情况下，根据所述第一施针参数集和第二施针参数集确定施针模拟方案；所述第一覆盖区域用于表征将第一消融区域覆盖在所述目标消融区域上时，被第一消融区域覆盖到的区域；所述第一残差区域用于表征所述目标消融区域中未被第一消融区域覆盖的区域；所述第一消融区域用于表征与所述第一施针参数集对应的理论消融区域；所述施针参数集用于表征与消融针相关且能够影响消融区域的参数信息。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人周翔;医渡云(北京)技术有限公司，其通讯地址为：100000 北京市朝阳区潘家园南里17号院公寓楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。