买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜西安交通大学申请的专利一种适用于IGBT集总电荷模型的非线性电容模型及建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115048896B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210636655.2，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种适用于IGBT集总电荷模型的非线性电容模型及建模方法是由王来利;吴宇薇;王见鹏设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于IGBT集总电荷模型的非线性电容模型及建模方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于IGBT集总电荷模型的非线性电容模型及建模方法，包括非线性电容子结构Cce、非线性电容子结构Cgc和非线性电容子结构Cge；所述非线性电容子结构Cce的一端与集总电荷模型中MOS部分的漏极连接，另一端与集总电荷模型中MOS部分的源极连接，所述非线性电容子结构Cgc的一端与集总电荷模型中MOS部分的漏极连接，另一端与集总电荷模型中MOS部分的栅极连接，所述非线性电容子结构Cge的一端与集总电荷模型中MOS部分的栅极连接，另一端与集总电荷模型中MOS部分的源极连接。本发明能够很好地表征IGBT在瞬态时经历的物理过程，且能够提高IGBT集总电荷模型在瞬态过程中的表征精度。

本发明授权一种适用于IGBT集总电荷模型的非线性电容模型及建模方法在权利要求书中公布了：1.一种适用于IGBT集总电荷模型的非线性电容系统，其特征在于，包括在IGBT集总电荷模型的MOS部分的三个端口间两两并联的非线性电容子结构，分别为非线性电容子结构Cce、非线性电容子结构Cgc和非线性电容子结构Cge；所述非线性电容子结构Cce的一端与集总电荷模型中MOS部分的漏极连接，另一端与集总电荷模型中MOS部分的源极连接，所述非线性电容子结构Cgc的一端与集总电荷模型中MOS部分的漏极连接，另一端与集总电荷模型中MOS部分的栅极连接，所述非线性电容子结构Cge的一端与集总电荷模型中MOS部分的栅极连接，另一端与集总电荷模型中MOS部分的源极连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学，其通讯地址为：710049 陕西省西安市咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。