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龙图腾网恭喜深圳市深峰电子有限公司申请的专利一种吸收电容结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN221708559U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202323385087.2，技术领域涉及：H01G2/08；该实用新型一种吸收电容结构是由李骁;胡满林设计研发完成，并于2023-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种吸收电容结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及电子元器件技术领域，且公开了一种吸收电容结构，包括外壳体，所述外壳体内开设有空腔，所述空腔内固定安装有吸收电容本体，所述吸收电容本体的前侧设置有密封层，且所述密封层对空腔的开口端进行固定，所述吸收电容本体靠近密封层的一侧固定连接有电极片，所述电极片贯穿密封层并延伸至外壳体外，所述外壳体的后侧开设有安装槽，所述安装槽内嵌设有散热组件，通过将电极片设置于空腔底侧壁与吸收电容本体之间，能够减小该吸收电容结构的占用空间，有利于将该吸收电容结构隐藏在需要安装的装置内部，利用若干个散热翅片增加散热路径，使热量可以更快地传输和分散，避免热点集中，减少热量对周围元件的热干扰。

本实用新型一种吸收电容结构在权利要求书中公布了：1.一种吸收电容结构，包括外壳体1，其特征在于：所述外壳体1内开设有空腔101，所述空腔101内固定安装有吸收电容本体2，所述吸收电容本体2的前侧设置有密封层3，且所述密封层3对空腔101的开口端进行固定，所述吸收电容本体2靠近密封层3的一侧固定连接有电极片4，所述电极片4贯穿密封层3并延伸至外壳体1外，所述外壳体1的后侧开设有安装槽102，所述安装槽102内嵌设有散热组件5。

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