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恭喜TCL环鑫半导体(天津)有限公司史丽萍获国家专利权

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龙图腾网恭喜TCL环鑫半导体(天津)有限公司申请的专利一种GPP芯片套印丝网印刷工艺方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111319346B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201811533932.7,技术领域涉及:B41F15/36;该发明授权一种GPP芯片套印丝网印刷工艺方法是由史丽萍;王晓捧;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;李豆设计研发完成,并于2018-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

一种GPP芯片套印丝网印刷工艺方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种GPP芯片套印丝网印刷网版,包括第一印刷网版和第二印刷网版,所述第一印刷网版设有若干第一印刷沟道,所述第二印刷网版设有若干第二印刷沟道,所述第二印刷沟道宽度大于所述第一印刷沟道宽度。本发明还提供了一种GPP芯片套印丝网印刷工艺方法,依次分别通过第一印刷网版在硅片沟槽上印刷一层玻璃钝化层,通过第二印刷网版在硅片沟槽上再套印印刷一层蜡保护层,以保护沟槽上涂覆的玻璃钝化层,避免后续清洗硅片表面非沟槽部分上多余的玻璃浆料时受影响,可有效解决硅片表面上粘附多余玻璃浆料的问题,为后续硅片表面金属化扫清了障碍。本发明印刷效果可控,保证了GPP芯片的外观,提高了GPP芯片的电学性能,适合批量化生产。

本发明授权一种GPP芯片套印丝网印刷工艺方法在权利要求书中公布了:1.一种GPP芯片套印丝网印刷工艺方法,采用套印丝网印刷网版,其包括第一印刷网版和第二印刷网版,所述第一印刷网版设有若干第一印刷沟道,所述第二印刷网版设有若干第二印刷沟道,其特征在于,所述第二印刷沟道宽度大于所述第一印刷沟道宽度,所述第二印刷沟道之间围成第二正方形,所述第一印刷沟道之间围成第一正方形,所述第二正方形内嵌于所述第一正方形,且所述第二正方形与所述第一正方形中心点重合;所述第一印刷网版还设有若干第一Mark点;所述第二印刷网版还设有若干第二Mark点;步骤如下:S1、印刷玻璃钝化层通过识别所述第一Mark点,使所述第一印刷网版与一面刻有沟槽的硅片进行对版,而后在所述硅片的沟槽上印刷涂覆一层玻璃浆料;将涂覆好带有玻璃浆料的所述硅片放入高温链试炉内进行烘干;再将烘干后的所述硅片进行高温熔融在所述第一印刷沟道上形成一层玻璃钝化层;S2、印刷保护层通过识别所述第二Mark点,使所述第二印刷网版与带有玻璃钝化层的所述硅片进行对版,而后在经过步骤S1处理过的硅片上套印涂覆一层耐酸性浆料;将涂覆好带有耐酸性浆料的所述硅片放入高温链试炉内进行烘干,即可在所述第二印刷沟道上形成一层蜡保护层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人TCL环鑫半导体(天津)有限公司,其通讯地址为:300384 天津市滨海新区华苑产业区(环外)海泰东路12号A座二层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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