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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法、晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112017946B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910470588.X，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权半导体结构的形成方法、晶体管是由李庆设计研发完成，并于2019-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法、晶体管在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法、晶体管，形成方法包括：提供基底，包括衬底、位于衬底上的介质层以及位于介质层上的介质掩膜材料层；在介质掩膜材料层上形成图形定义层；对图形定义层进行钝化处理，适于饱和图形定义层表面的悬挂键；进行钝化处理后，对图形定义层进行离子掺杂处理，掺杂有离子的图形定义层作为金属阻断层，剩余图形定义层作为牺牲层；去除牺牲层；以金属阻断层为掩膜图形化介质掩膜材料层形成介质掩膜层；以介质掩膜层为掩膜图形化介质层，在介质层中形成多个凹槽。本发明实施例有利于提高图形化介质层以形成凹槽的工艺效果。

本发明授权半导体结构的形成方法、晶体管在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的介质层、以及位于所述介质层上的介质掩膜材料层；在所述介质掩膜材料层上形成图形定义层；对所述图形定义层进行钝化处理，适于饱和所述图形定义层表面的悬挂键；进行所述钝化处理后，对所述图形定义层进行离子掺杂处理，掺杂有离子的图形定义层作为金属阻断层，剩余所述图形定义层作为牺牲层；去除所述牺牲层；以所述金属阻断层为掩膜，图形化所述介质掩膜材料层，形成介质掩膜层；以所述介质掩膜层为掩膜图形化所述介质层，在所述介质层中形成多个凹槽。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。