恭喜意法半导体(鲁塞)公司A·马扎基获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体(鲁塞)公司申请的专利包括电容元件的集成电路和制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110444545B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910361989.1，技术领域涉及：H10B41/40；该发明授权包括电容元件的集成电路和制造方法是由A·马扎基设计研发完成，并于2019-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括电容元件的集成电路和制造方法在说明书摘要公布了：本申请的各实施例涉及包括电容元件的集成电路和制造方法。集成电路的电容元件包括第一电极和第二电极。第一电极由位于掺杂有第一导电类型的半导体阱上方的第一导电层形成。第二电极由位于半导体阱的第一导电层上方的第二导电层形成。第二电极还由半导体阱内的表面区域形成，该表面区域高度掺杂有与第一导电类型相反的第二导电类型，其中表面区域位于第一导电层下方。电极间电介质区域将第一电极和第二电极电分离。
本发明授权包括电容元件的集成电路和制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括：掺杂有第一导电类型的半导体阱；和至少一个电容元件，包括：位于所述半导体阱上方的第一导电层，所述第一导电层形成第一电容器电极；所述第一导电层上方的第二导电层；高度掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的表面区域，所述表面区域位于所述半导体阱中并且位于所述半导体阱的上表面处并且位于所述第一导电层下方；和电极间电介质区域，将所述第一导电层从所述第二导电层和所述表面区域中的每个分离；其中所述第二导电层和所述表面区域形成第二电容器电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(鲁塞)公司，其通讯地址为：法国鲁塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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