恭喜ARM有限公司阿米特·查布拉获国家专利权
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龙图腾网恭喜ARM有限公司申请的专利用于存储器读取和写入特性的性能变化的传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111161774B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911080136.7，技术领域涉及：G11C11/412；该发明授权用于存储器读取和写入特性的性能变化的传感器是由阿米特·查布拉;雷纳·赫贝霍尔茨设计研发完成，并于2019-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于存储器读取和写入特性的性能变化的传感器在说明书摘要公布了：本文描述的各种实现涉及一种具有第一存储器结构和第二存储器结构的集成电路。第一存储器结构设置在集成电路的第一区域中，并且第一存储器结构具有带有第一晶体管的第一存储器单元。第二存储器结构设置在集成电路中的与第一区域不同的第二区域中，并且第二存储器结构具有带有第二晶体管的第二存储器单元，第二晶体管与第一晶体管分离。第二存储器单元的第二晶体管被布置为提供输出振荡频率，用于检测第一存储器单元的第一晶体管的性能变化。
本发明授权用于存储器读取和写入特性的性能变化的传感器在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括：第一存储器结构，设置在所述集成电路的第一区域中，所述第一存储器结构具有带有第一晶体管的第一存储器单元；以及第二存储器结构，设置在所述集成电路中的不同于所述第一区域的第二区域中，所述第二存储器结构具有带有第二晶体管的第二存储器单元，所述第二晶体管与所述第一晶体管分离，其中所述第二存储器单元的所述第二晶体管被布置为提供输出振荡频率，用于检测所述第一存储器单元的所述第一晶体管的读取性能和写入性能的变化，其中，所述写入性能与所述第一存储器单元的所述第一晶体管的写入电流相关联。
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