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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112701041B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911007581.0，技术领域涉及：H01L21/336；该发明授权半导体结构及其形成方法是由任飞设计研发完成，并于2019-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，提供衬底；在所述衬底上形成若干相互分立的主鳍部与伪鳍部，所述伪鳍部包括第一区以及位于所述第一区上的第二区，所述第二区的材料与所述主鳍部的材料不同，所述第二区的材料与所述第一区的材料不同；在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述主鳍部的部分侧壁，所述隔离层覆盖所述第一区侧壁；在形成所述隔离层之后，刻蚀去除所述第二区。通过形成相互分立的主鳍部与伪鳍部，保证了在刻蚀过程中刻蚀环境的一致性，防止形成的主鳍部底部尺寸因刻蚀环境的改变而变大；另外通过刻蚀工艺对不同材料的刻蚀选择性，去除部分伪鳍部，避免了采用光刻图形化工艺所带来的缺陷，进而提升最终形成的半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构形成的方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干相互分立的主鳍部与伪鳍部，所述伪鳍部包括第一区以及位于所述第一区上的第二区，所述第二区的材料与所述主鳍部的材料不同，所述第二区的材料与所述第一区的材料不同；在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述主鳍部的部分侧壁，所述隔离层覆盖所述第一区侧壁；在形成所述隔离层之后，利用刻蚀工艺对不同材料的刻蚀选择性，刻蚀去除所述第二区。

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