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龙图腾网恭喜IMEC非营利协会申请的专利用于获得在载体基板上重构的发光二极管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111293204B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911250976.3，技术领域涉及：H01L33/48；该发明授权用于获得在载体基板上重构的发光二极管的方法是由A·米特雅辛;S·斯台德设计研发完成，并于2019-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于获得在载体基板上重构的发光二极管的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及发光二极管LED器件，尤其是微型LEDμLED器件的技术领域。在该领域中，本发明具体提出了一种用于获得在载体基板上重构的一个或多个LED器件的方法。该方法包括：提供硅基半导体基板作为载体基板，为一个或多个LED器件的每一者提供包括LED层的化合物半导体堆叠，分别将SiCN层施加到堆叠和基板；将堆叠粘合到基板，其中被施加到堆叠的SiCN层和被施加到基板的SiCN层相接触；以及在粘合之后，以等于或高于用于从堆叠完成LED器件的处理温度的温度对经粘合的堆叠和基板进行退火，其中所述温度为至少400℃。

本发明授权用于获得在载体基板上重构的发光二极管的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于获得在载体基板20上重构的一个或多个发光二极管LED器件的方法10，所述方法10包括：提供11硅基半导体基板作为载体基板20，为所述一个或多个LED器件的每一者提供12包括LED层31的化合物半导体堆叠30，将氮化碳化硅SiCN层32、21分别施加13到所述堆叠30和所述基板20，将所述堆叠30粘合14到所述基板20，其中被施加到所述堆叠30的所述SiCN层32和被施加到所述基板20的所述SiCN层21相接触，在粘合14之后，以等于或高于用于从所述堆叠30完成所述LED器件的处理温度的温度对经粘合的堆叠30和基板20进行退火15，其中所述温度为至少400℃。

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