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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112928062B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911235504.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张冠群;李新磊设计研发完成，并于2019-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成多孔介质层；在多孔介质层中形成导电通孔；采用物理气相沉积工艺，在导电通孔的底部和侧壁保形覆盖成核层；采用原子层沉积工艺，在成核层上保形覆盖第一阻挡层，用于与成核层形成扩散阻挡层；在形成有扩散阻挡层的导电通孔中形成导电插塞。本发明实施例有利于降低扩散阻挡层的形成难度、提高扩散阻挡层的薄膜质量，从而有利于提高扩散阻挡层的防扩散阻挡的能力，进而改善电迁移的问题，提高了半导体结构的可靠性，且使得扩散阻挡层的厚度较小，从而增大导电插塞的形成空间，进而增大形成导电插塞的工艺窗口、并减小后段RC延迟，优化了半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成多孔介质层；在所述多孔介质层中形成导电通孔；采用物理气相沉积工艺，在所述导电通孔的底部和侧壁保形覆盖成核层；采用原子层沉积工艺，在所述成核层上保形覆盖第一阻挡层，用于与成核层形成扩散阻挡层；在形成有所述扩散阻挡层的所述导电通孔中形成导电插塞；形成所述第一阻挡层后，在形成所述导电插塞之前，所述半导体结构的形成方法还包括：对所述第一阻挡层进行溅射处理，将用于组成第一阻挡层的原子或分子打到所述第一阻挡层中，以填补所述第一阻挡层中的空位，适于提高所述第一阻挡层的致密度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。