恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵猛获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113394288B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010177583.0，技术领域涉及：H01L29/78；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵猛设计研发完成，并于2020-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底表面具有伪栅极结构；分别在所述伪栅极结构两侧的基底内形成源漏开口；在所述源漏开口内形成第一应力层，且所述第一应力层内掺杂有第一离子；在所述第一应力层表面形成初始层，且所述初始层内掺杂有第二离子，所述第一离子和第二离子的导电类型相同；对所述初始层进行氧化处理，使所述初始层形成氧化层。所述方法有利于提高形成的半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底表面具有伪栅极结构；分别位于所述伪栅极结构两侧的基底内的源漏开口；位于所述源漏开口内的第一应力层，且所述第一应力层内掺杂有第一离子；位于所述第一应力层表面的氧化层，且所述氧化层内掺杂有第二离子，所述第一离子和第二离子的导电类型相同，所述氧化层底部和第一应力层顶部的界面处还掺杂有电阻降低离子。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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