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当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵琼洋获国家专利权

恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵琼洋获国家专利权

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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114121658B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010886718.0,技术领域涉及:H01L21/336;该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵琼洋设计研发完成,并于2020-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了:一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底;在所述基底上形成功函数层,形成所述功函数层的步骤包括一个或多个沉积退火处理,所述沉积退火处理包括:在所述基底上形成单层膜;对所述单层膜进行退火处理。本申请实施例对所述单层膜进行退火处理能够提供能量,断开所述单层膜中杂质元素与其他元素的化学键,排出杂质元素,降低所述单层膜中杂质元素的含量,提高单层膜的纯度,相应的功函数层的纯度更高,在半导体结构工作时,功函数层能够更准确的调节半导体结构的阈值电压。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括栅极开口;在所述基底上形成功函数层,所述功函数层形成在所述栅极开口的侧壁和底面,形成所述功函数层的步骤包括多个沉积退火处理,所述沉积退火处理包括:在所述基底上形成单层膜,所述单层膜形成在所述栅极开口的侧壁和底面;对所述单层膜进行退火处理。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,其通讯地址为:201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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