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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314460B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110216619.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件及其制造方法是由吴国晖;庄惠中;陈志良;庄正吉;张尚文;邱奕勋设计研发完成，并于2021-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括沿着第一横向方向延伸的第一栅极结构。半导体器件包括设置在第一栅极结构上方的第一互连结构，第一互连结构沿着垂直于第一横向方向的第二横向方向延伸。第一互连结构包括通过第一介电结构彼此电隔离的第一部分和第二部分。半导体器件包括设置在第一栅极结构和第一互连结构之间的第二互连结构，第二互连结构将第一栅极结构电耦接到第一互连结构的第一部分。第二互连结构包括沿着竖直方向与第一栅极结构和介电结构基本对准的凹进部分。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：第一栅极结构；第一互连结构，设置在互连层中，所述互连层设置在所述第一栅极结构上方，其中，所述第一互连结构与所述第一栅极结构横向地移位；以及第二互连结构，设置在所述第一栅极结构和所述互连层之间，所述第二互连结构包括第一部分和第二部分，其中，所述第二互连结构的所述第一部分和所述第二部分在横向上彼此相邻，并且通过凹进，使所述第一部分在竖直方向上比第二部分短，以及其中，通过仅使所述第二互连结构的所述第一部分接触所述第一栅极结构并且仅使所述第二互连结构的所述第二部分接触所述第一互连结构，将所述第一栅极结构电耦接到所述第一互连结构，其中，所述第二互连结构的所述第一部分至少通过填充所述凹进的介电结构与所述第一互连结构和设置在所述互连层中的任何其他互连结构电隔离。

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