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龙图腾网恭喜浙江中晶新能源股份有限公司申请的专利一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113690334B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110918322.4，技术领域涉及：H01L31/0747；该发明授权一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池及其制备方法是由赵华飞设计研发完成，并于2021-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池，包括P型硅基体、遂穿超薄氧化层、非晶硅N+层、氮化硅钝化膜、局域硼背场、金属正电极和金属负电极，所述P型硅基体的正面设置为绒面，所述P型硅基体的背面设置有遂穿超薄氧化层，所述遂穿超薄氧化层上设置有磷掺杂退火的非晶硅N+层，所述非晶硅N+层的外侧设置有氮化硅钝化膜，所述P型硅基体的背面设置有局域硼背场，所述局域硼背场穿透氮化硅钝化膜连接有金属正电极，所述非晶硅N+层上连接有金属负电极。本发明能够降低金属接触复合电流，提升电池的开路电压和短路电流，具有良好的钝化特性，提高了转换效率，提升了有效发电面积，利于提升发电效率，外观上也更加美观。

本发明授权一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池，其特征在于：包括P型硅基体（1）、遂穿超薄氧化层（2）、非晶硅N+层（3）、氮化硅钝化膜（4）、局域硼背场（5）、金属正电极（6）和金属负电极（7），所述P型硅基体（1）的正面设置为绒面，所述P型硅基体（1）的背面设置有遂穿超薄氧化层（2），所述遂穿超薄氧化层（2）上设置有磷掺杂退火的非晶硅N+层（3），所述非晶硅N+层（3）的外侧设置有氮化硅钝化膜（4），所述P型硅基体（1）的背面设置有局域硼背场（5），所述P型硅基体（1）的背面沉积隔离掩膜，采用激光蚀刻在隔离掩膜上蚀刻显露出局域硼背场（5）区域的P型硅基体（1）的背面，在蚀刻区域进行硼注入，激光烧蚀形成局域硼背场（5），化学腐蚀清除所有的隔离掩膜，所述局域硼背场（5）穿透氮化硅钝化膜（4）连接有金属正电极（6），所述非晶硅N+层（3）上连接有金属负电极（7）。

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