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龙图腾网恭喜珠海市大鹏电子科技有限公司申请的专利一种光电耦合器的筛选方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114113961B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111310081.1，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种光电耦合器的筛选方法是由高康;黄俊民;何丁财;孙凤义;董海昌设计研发完成，并于2021-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光电耦合器的筛选方法在说明书摘要公布了：本发明公开的一种光电耦合器的筛选方法，包括以下步骤：步骤S1，选取不同批次的光电耦合器产品；步骤S2，将选取的光电耦合器安装在测试台上，在20mA的电流条件下，通过重复多次的VF值测试，观察线性变化，对光电耦合器进行常规VF值测试；步骤S3，采用200mA大电流连续冲击200次；步骤S4，采用50mA和10mA的高低电流连续冲击；通过增加200mA电流冲击检验芯片损伤，以及增加10mA与50mA大小电流冲击下的VF值波动误差、来检测芯片损伤及键合线超声波键合虚焊问题，来筛选存在超声波键合焊接不稳定、导致红外发射芯片阻值变化大的不良品。

本发明授权一种光电耦合器的筛选方法在权利要求书中公布了：1.一种光电耦合器的筛选方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，选取不同批次的光电耦合器产品；步骤S2，将选取的光电耦合器安装在测试台上，在20mA的电流条件下，通过重复多次的VF值测试，观察线性变化，若线性稳定且VF值在规定范围内，则判定光电耦合器产品的质量一致性良好；步骤S3，采用200mA大电流连续冲击200次，检验光耦内部芯片的损伤，若测试数据无波动则判定光电耦合器产品的质量稳定；步骤S4，采用50mA和10mA的高低电流连续冲击，检验光耦内部芯片的损伤，并依据光电耦合器产品的阻值，红外发射芯片的VF值与电流的线性特性，采用50mA和10mA的大小电流冲击测试光电耦合器产品的VF值，相互之间进行差值计算，依据光电耦合器VF特性值波动的变化线性差异，来筛选存在超声波键合焊接不稳定、导致红外发射芯片阻值变化大的不良品；所述步骤S4中还包括：光电耦合器产品测试中，在10mA、20mA、50mA、200mA不同电流条件下分别测试VF值；并针对10mA、20mA、50mA、200mA不同条件下的VF值，相互之间进行差值计算，计算不同条件下的数据误差；结合制程选取的单芯片20mA条件下VF原始值范围为1.24-1.28V，大小电流对比观察200mA与10mA条件下误差波动相对较大，故此选择50mA与10mA条件下误差作为参考值，范围限定为≤0.220，由此判定，VF误差值大于0.27的光电耦合器产品为虚焊不良产品。

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