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龙图腾网恭喜华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利反应腔清洁方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284126B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111543131.0，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权反应腔清洁方法是由陈林;吴长明;冯大贵;王玉新;余鹏;樊士文设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本反应腔清洁方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种反应腔清洁方法。所述反应腔用于对各批次晶圆进行处理工艺，一批次晶圆中包括多组晶圆，每组晶圆中包括多片晶圆；所述反应腔对同一批次晶圆中各片晶圆的处理工艺相同，所述反应腔清洁方法包括：一批次晶圆进行所述处理工艺前，对所述反应腔进行聚合物预处理工艺，清除在前批次晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的聚合物；对一组晶圆中的各片晶圆进行所述处理工艺前，清除前片晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的聚合物；一组晶圆中的所有晶圆完成所述处理工艺后，清除前组所有晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的聚合物，并抽离掉落在所述反应腔中的聚合物。

本发明授权反应腔清洁方法在权利要求书中公布了：1.一种反应腔清洁方法，所述反应腔用于对各批次晶圆进行处理工艺，一批次晶圆中包括多组晶圆，每组晶圆中包括多片晶圆；所述反应腔对同一批次晶圆中各片晶圆的处理工艺相同，其特征在于，所述反应腔清洁方法包括：一批次晶圆进行所述处理工艺前，对所述反应腔进行聚合物预处理工艺，清除在前批次晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的聚合物；对一组晶圆中的各片晶圆进行所述处理工艺前，清除前片晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的聚合物；一组晶圆中的所有晶圆完成所述处理工艺后，清除前组所有晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的聚合物，并抽离掉落在所述反应腔中的聚合物；所述一批次晶圆进行所述处理工艺前，对所述反应腔进行聚合物预处理工艺，清除在前批次晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的聚合物的步骤，包括：判断所述反应腔对所述批次晶圆的处理工艺，是否为对有机物层的刻蚀处理工艺；确定所述反应腔对所述批次晶圆的处理工艺为对有机物层的刻蚀处理工艺后，在所述反应腔对所述批次晶圆进行所述刻蚀处理工艺前，使得所述反应腔进行聚合物预处理强化工艺，对所述反应腔中积累的聚合物进行清理；所述聚合物预处理强化工艺包括以下依次进行的：向所述反应腔中通入氧气，所述氧气与有机聚合反应，清除有机聚合物；向所述反应腔中通入三氟化氮和氧气的混合气体，使得所述混合气体与有机聚合物和无机聚合物反应，清除有机聚合物和无机聚合物反应；所述对一组晶圆中的各片晶圆进行所述处理工艺前，清除前片晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的聚合物的步骤包括：提高所述反应腔的工作功率；向所述反应腔的连通孔中，持续20s至40s的时间通入40sccm至60sccm流量的氧气，清除前片晶圆处理工艺结束后，积累在反应腔连通孔中的聚合物；向所述反应腔中通入三氟化氮气体，清除积累在所述反应腔中的无机聚合物；所述一组晶圆中的所有晶圆完成所述处理工艺后，清除前组所有晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的聚合物，并抽离掉落在所述反应腔中的聚合物的步骤，包括：向所述反应腔的连通孔中，持续20s至40s的时间，通入40sccm至60sccm流量的氧气，清除前组所有晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的有机聚合物。

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