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龙图腾网恭喜北京超弦存储器研究院申请的专利动态存储器以及SOC芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116234296B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210055158.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权动态存储器以及SOC芯片是由戴瑾设计研发完成，并于2022-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本动态存储器以及SOC芯片在说明书摘要公布了：本申请提供一种动态存储器以及SOC芯片，动态存储器包括衬底和多个存储单元，存储单元包括设置在衬底上的第一MOS管、第二MOS管，以及读字线和读位线，写字线和写位线，第一MOS管的第一栅极和第二MOS管的第二源漏极电连接，第二MOS管为金属氧化物薄膜MOS管。通过在衬底上形成有源区，衬底上处于有源区的部分可以作为第一MOS管的有源层，动态存储器可以和SOCSystemonchip，片上系统芯片制作在同一个衬底上，动态存储器的制作工艺可以和SOC芯片的制作工艺兼容，由此提高了器件的集成度。

本发明授权动态存储器以及SOC芯片在权利要求书中公布了：1.一种SOC芯片，其特征在于，包括动态存储器，动态存储器包括衬底和设置在所述衬底上的多个存储单元，所述存储单元包括：第一MOS管，包括第一栅极、第一源漏极和第一有源区，所述衬底包括所述第一有源区；第一源漏极和衬底电连接，其电连接点位于第一有源区；第二MOS管，包括第二栅极、第二源漏极和第二有源区；读字线和读位线，与所述第一源漏极电连接；写字线和写位线，所述写字线与所述第二栅极电连接，所述写位线与所述第二源漏极电连接；其中，所述第一栅极与所述第二源漏极电连接，所述第二MOS管为金属氧化物薄膜MOS管；存储单元中包括存储节点，第一MOS管的栅极电容作为存储节点的电容；在动态存储器处于读取工作模式时，使读字线上为低电位，读位线上为高电位，若存储节点存储的数据信号的二进制为0，第一MOS管处于关闭状态，读位线保持高电平状态，读取的信号的二进制为1；若存储节点存储的信号数据的二进制为1，第一MOS管导通，读位线通过第一MOS管进行放电，读位线上的电位降低，读取的信号的二进制为0；动态存储器还包括输入输出器件，输入输出器件与多个存储单元电连接，用于外部电路和动态存储器中多个存储单元之间数据信号的传输；输入输出器件包括设置在衬底一侧的第三栅绝缘层，第三栅绝缘层和第一栅绝缘层同层设置；所述第一MOS管包括设置在所述第一有源区和所述第一栅极之间的第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层的厚度大于标准MOS管器件的栅绝缘层厚度；所述第一栅绝缘层的厚度与所述标准MOS管器件的栅绝缘层厚度比为1.5至2.5；所述存储单元包括设置在所述第一栅极和所述第二源漏极之间的连接结构，所述第一栅极和所述第二源漏极通过所述连接结构电连接；所述连接结构包括至少一个金属块和至少两个过孔，所述过孔的孔壁上沉积有金属层，所述金属层分别连接所述第一栅极和所述第二源漏极。

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