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龙图腾网恭喜南方科技大学申请的专利一种半导体多孔薄膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115999862B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211712188.3，技术领域涉及：B05D1/02；该发明授权一种半导体多孔薄膜及其制备方法与应用是由李文华;徐强设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体多孔薄膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及传感器薄膜技术领域，尤其涉及一种半导体多孔薄膜及其制备方法与应用，本发明通过制备具有胶体尺寸的SnS2纳米片，然后与有机溶剂混匀得到SnS2胶体溶液，利用喷涂‑加热辅助组装成膜的方式，一步制备了大面积多孔SnS2半导体薄膜于任意基底上，并可用于气体传感器；由于该半导体多孔薄膜由超薄的纳米片组成，具有大量的气敏活性位点，且该薄膜连续且致密，薄膜表面因为喷涂过程中溶剂的挥发，产生少量纳米级孔道，兼具优良的电荷传输能力和更高的气体传质能力，所述将该薄膜用于气体传感器，具有优异的气体传感性能。同时该制备方法简单、高效、环保，可实现连续的大面积薄膜生产，甚至工业化级的薄膜制备。

本发明授权一种半导体多孔薄膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种半导体多孔薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：将锡盐与硫的前驱体加入水中，得到SnS2前驱体溶液；将所述SnS2前驱体溶液在预定温度下反应预定时间，得到SnS2纳米片；将所述SnS2纳米片分散于有机溶剂中，得到SnS2胶体溶液；将所述SnS2胶体溶液注入喷枪中，将基底置于60-80℃的加热台上持续加热，然后通过喷枪将所述SnS2胶体溶液喷涂在所述基底上，得到SnS2半导体多孔薄膜；所述锡盐选自四氯化锡、氯化亚锡、硫酸亚锡中的一种；所述硫的前驱体选自硫代乙酰胺、硫脲、硫代硫酸钠中的一种；所述锡盐和所述硫的前驱体的摩尔比为1:4-1:6；所述有机溶剂选自甲醇、无水乙醇、异丙醇、己烷、丙酮中的一种；所述基底选自玻璃、陶瓷、铝箔、碳布、镍网、柔性PET基底中的一种；所述SnS2前驱体溶液中，所述锡盐的浓度为0.05-0.1molL，所述硫的前驱体的浓度为0.1-0.5molL；所述喷枪的喷枪口与所述基底的距离为8-12厘米；所述SnS2半导体多孔薄膜的厚度为50-2000nm。

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