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龙图腾网恭喜广州新锐光掩模科技有限公司申请的专利光掩模钝化层制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116047859B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310195889.2，技术领域涉及：G03F1/80；该发明授权光掩模钝化层制造方法是由孙长杰;包忍;葛海鸣设计研发完成，并于2023-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本光掩模钝化层制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种光掩模钝化层制造方法，涉及光掩模的技术领域，其包括以下步骤：S1，获取晶圆结构；S2，将晶圆结构置于真空腔体中，向真空腔体中通入氧气和氯气，通过加载射频电源，产生氯离子基团对阻挡层、钝化层及金属层进行蚀刻，蚀刻出光刻图形的蚀刻窗口；S3，通过加载射频电源，产生氧离子基团与金属层被蚀刻出的侧边进行氧化反应，使得金属层被蚀刻出的侧边表面生成钝化层；S4，去除钝化层表面的阻挡层。通过氧离子基团和氯离子基团直接在干法蚀刻机台上，一次性完成晶圆结构的蚀刻及金属层表面钝化层的生成，进而省去了转移至Asher机台进行钝化层制作的工艺流程，摆脱了工艺流程的局限性，优化了制程，降低了工艺成本。

本发明授权光掩模钝化层制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光掩模钝化层制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，获取晶圆结构，所述晶圆结构包括基底，所述基底上依次覆盖的金属层、钝化层及阻挡层；S2，将所述晶圆结构置于真空腔体中，向所述真空腔体中通入氧气和氯气，通过加载射频电源，产生氯离子基团对阻挡层、钝化层及金属层进行蚀刻，且蚀刻至基底表面停止，蚀刻出光刻图形的蚀刻窗口；S3，通过加载射频电源，产生氧离子基团与金属层被蚀刻出的侧边进行氧化反应，使得所述金属层被蚀刻出的侧边表面生成钝化层;S4，去除钝化层表面的阻挡层。

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