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龙图腾网恭喜湖南博望碳陶有限公司申请的专利一种耐高温陶瓷的制备方法和耐高温陶瓷获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116768652B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310740226.4，技术领域涉及：C04B41/87；该发明授权一种耐高温陶瓷的制备方法和耐高温陶瓷是由张西岩;蒋军军;黄能武设计研发完成，并于2023-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耐高温陶瓷的制备方法和耐高温陶瓷在说明书摘要公布了：本发明提供了一种耐高温陶瓷的制备方法和耐高温陶瓷。该制备方法包括以下步骤：S1：用SiC陶瓷前驱体对基体进行PIP工艺处理；S2：将SiC浆料涂覆于步骤S1处理后的基体表面，在保护性气氛中进行第一次烧结；S3：将步骤S2处理后的基体包埋于SiC粉料中，在保护性气氛中进行第二次烧结，得到所述的耐高温陶瓷。该方法操作简单，成本低，在烧制过程中陶瓷涂层耐温性好，不会出现粉化等现象。本发明还提供了由上述制备方法制得的耐高温陶瓷。

本发明授权一种耐高温陶瓷的制备方法和耐高温陶瓷在权利要求书中公布了：1.一种耐高温陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：用SiC陶瓷前驱体对基体进行PIP工艺处理；S2：将SiC浆料涂覆于步骤S1处理后的基体表面，在保护性气氛中进行第一次烧结；S3：将步骤S2处理后的基体包埋于SiC粉料中，在保护性气氛中进行第二次烧结，得到所述的耐高温陶瓷；所述SiC陶瓷前驱体选自聚甲基硅烷和聚碳硅烷中的至少一种；所述基体选自石墨基体、碳碳基体和陶瓷基体中的一种；以质量百分比计，所述SiC浆料包括：聚甲基硅烷：30wt％～40wt％，甲苯：10wt％～20wt％，碳化硅粉：30wt％～50wt％；所述第一次烧结的温度为850℃～950℃；所述第二次烧结的温度为1900℃～2100℃；步骤S3中，将所述基体包埋于碳化硅粉料中烧结，在第二次烧结过程中，SiC发生蒸发现象，使基体置于SiC的蒸汽氛围中，所述基体外的SiC蒸汽浓度高于基体内浓度，使得SiC蒸汽向基体内部扩散，扩散的SiC蒸汽会沉积在基体内的碳化硅上，达到填充孔洞的目的；所述PIP工艺处理的次数为2～3个周期；所述PIP工艺处理的温度为850℃～950℃。

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