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龙图腾网恭喜海信家电集团股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118116952B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410141486.4，技术领域涉及：H01L29/06；该发明授权半导体装置是由杨晶杰;陈道坤;储金星;张永旺;刘恒设计研发完成，并于2024-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：基体；漂移层；第一沟槽；第二沟槽；载流子阻挡沟槽，多个第二沟槽第二方向最外侧的两个均为边界沟槽，载流子阻挡沟槽为一条连续的沟槽，两个边界沟槽中的一个第一方向的一端与载流子阻挡沟槽的一端相连，载流子阻挡沟槽在多个第二沟槽的外侧周向环绕设置且连续环绕有多圈，载流子阻挡沟槽内部形成连续环绕有多圈的阻挡流道，阻挡流道最外圈的端部设置有流道入口。由此，载流子阻挡沟槽在可以阻挡载流子的扩散的前提下，内部形成的阻挡流道可以延长对载流子的阻挡路径，避免第一沟槽所对应的区域和第二沟槽所对应的区域在注入制程时的相互干扰，从而保证两个区域各自的性能。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：基体10，所述基体10具有第一主面17及与第一主面17相反侧的第二主面18；第一导电类型的漂移层11，所述漂移层11设于第一主面17和第二主面18之间；第一沟槽20，所述第一沟槽20的深度从所述第一主面17朝向所述第二主面18延伸至所述漂移层11中，所述第一沟槽20的长度在第一方向上设置，所述第一沟槽20为多个，多个所述第一沟槽20在第二方向上间隔设置，多个所述第一沟槽20包括主沟槽21和间隔沟槽22，所述间隔沟槽22为多个且包括在第一方向间隔设置的第一子沟槽221和第二子沟槽222，所述主沟槽21为多个，多个所述主沟槽21分别间隔设置于多个所述间隔沟槽22第二方向的两侧；第二沟槽30，所述第二沟槽30的深度从所述第一主面17朝向所述第二主面18延伸至所述漂移层11中，所述第二沟槽30的长度在第一方向上延伸，所述第二沟槽30为多个，所述第二沟槽30在第一方向间隔设置于所述第一子沟槽221和所述第二子沟槽222之间，多个所述第二沟槽30第二方向的两侧分别与所述主沟槽21间隔设置；载流子阻挡沟槽40，所述载流子阻挡沟槽40的深度从所述第一主面17朝向所述第二主面18延伸至所述漂移层11中，多个所述第二沟槽30第二方向最外侧的两个均为边界沟槽，所述载流子阻挡沟槽40与多个所述间隔沟槽22和多个所述主沟槽21均相互间隔，所述载流子阻挡沟槽40为一条连续的沟槽，两个所述边界沟槽中的一个第一方向的一端与所述载流子阻挡沟槽40的一端相连，所述载流子阻挡沟槽40在多个所述第二沟槽30的外侧周向环绕设置且连续环绕有多圈，所述载流子阻挡沟槽40内部形成连续环绕有多圈的阻挡流道44，所述阻挡流道44最外圈的端部设置有流道入口45。

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