恭喜北京晶飞半导体科技有限公司吴忧获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京晶飞半导体科技有限公司申请的专利一种应力增效的激光改质剥离方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118002910B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410069518.4，技术领域涉及：B23K26/00；该发明授权一种应力增效的激光改质剥离方法和装置是由吴忧;韩世飞;许建强;冀利岗设计研发完成，并于2024-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种应力增效的激光改质剥离方法和装置在说明书摘要公布了：本发明涉及晶圆制造技术领域，具体涉及一种应力增效的激光改质剥离方法和装置，该方法包括步基材准备、施加应力、激光改质、机械剥离。主要是在晶锭的表面施加应力，应力的垂直于晶锭的轴线方向。本发明应用应力调控热的传播方向，由于热在应力方向传递的效果比在垂直于应力方向传递的效果好，从而使得激光与晶锭的作用产生的热主要沿法线方向传播，增加了切割的横向尺寸，减少了激光照射位置的个数，提高了效率，在晶圆制造技术领域具有良好的应用前景。
本发明授权一种应力增效的激光改质剥离方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种应力增效的激光改质剥离方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、基材准备；步骤2、施加应力；步骤3、激光改质；步骤4、机械剥离；所述步骤2包括在晶锭的表面施加应力，所述应力的方向垂直于晶锭的轴线方向；所述应力来源于应力施加装置，所述应力施加装置为卡箍或喉箍；在所述应力方向上，晶体中的原子或分子更紧密地排列在一起，导致更有效的热传导。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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