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龙图腾网恭喜上海海栎创科技股份有限公司申请的专利节省面积与更低功耗的SRAM结构及其自定时控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118380026B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410788567.3，技术领域涉及：G11C11/412；该发明授权节省面积与更低功耗的SRAM结构及其自定时控制方法是由张武;卢昌鹏;刘华;陈建球设计研发完成，并于2024-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本节省面积与更低功耗的SRAM结构及其自定时控制方法在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种节省面积与更低功耗的SRAM结构及其自定时控制方法，所述SRAM结构包括多个串联的虚拟存储体；虚拟存储体设置在真实存储体的一侧。进一步的，虚拟存储体包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管；第一NMOS管的源极接地，漏极连接于第三NMOS管、源极和第一PMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极。本发明能够缩短放电时间，从而能够缩短灵敏放大器的开启时间，还能够实现对时序控制电路的精确操作，从而能够解决传统电路中逻辑门延迟大、自控性差以及可靠性等问题，且有效节省功耗。

本发明授权节省面积与更低功耗的SRAM结构及其自定时控制方法在权利要求书中公布了：1.一种节省面积与更低功耗的SRAM结构，其特征在于，包括多个串联的虚拟存储体和相连接的真实存储体、时序控制电路和读写电路；所述虚拟存储体设置在真实存储体宽度方向的一侧；初始状态下，所述虚拟存储体的位线和互补位线的电压为高，所述虚拟存储体和所述真实存储体的字线开启后，所述虚拟存储体的位线和互补位线放电至所述时序控制电路中，同时所述真实存储体的位线和互补位线产生电压差；当所述电压差达到所述读写电路的数据读出设定值时，同时所述时序控制电路根据放电产生的翻转电压关闭字线；进行数据读出；所述虚拟存储体包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管；所述第一NMOS管的源极接地，漏极连接于所述第三NMOS管的源极和所述第一PMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的栅极连接于所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的漏极、所述第二NMOS管的漏极以及所述第四NMOS管的源极；所述第二NMOS管的源极和栅极皆接地；所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的栅极均接入字线，所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的漏极分别接入位线和互补位线；所述位线和所述互补位线均接入时序控制电路；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极均连接电源电压。

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