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龙图腾网恭喜力智电子股份有限公司申请的专利横向功率晶体管结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN221727120U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420129576.7，技术领域涉及：H01L29/40；该实用新型横向功率晶体管结构是由王淞丞;薛光博;陈师萱设计研发完成，并于2024-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本横向功率晶体管结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种横向功率晶体管结构，包括沿器件垂直方向自下而上的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，以及在所述势垒层上沿横向方向分布的源极结构、栅极结构与漏极结构。所述的横向功率晶体管结构还包括漏极端场板结构，位于漏极结构上方并与漏极结构电连接，且漏极端场板结构是由至少三层漏极端场板构成，并具有接近栅极结构的第一端部与远离栅极结构的第二端部。所述漏极端场板结构中的每一层与所述势垒层之间的垂直距离，正相关于所述第一端部与所述漏极结构的横向距离。本实用新型提供的横向功率晶体管结构，能降低或分散漏极边缘的电场峰值，以在漏极端增加场板的方式，改善漏极端电场强度。

本实用新型横向功率晶体管结构在权利要求书中公布了：1.一种横向功率晶体管结构，包括：沿器件垂直方向自下而上的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层；以及在所述势垒层上沿横向方向分布的源极结构、栅极结构与漏极结构，其特征在于，所述的横向功率晶体管结构还包括：漏极端场板结构，位于所述漏极结构上方并与所述漏极结构电连接，且所述漏极端场板结构包括至少三层漏极端场板构成，并具有接近所述栅极结构的第一端部，与远离所述栅极结构的第二端部；其中，所述漏极端场板结构中的每一层与所述势垒层之间的垂直距离，正相关于所述第一端部与所述漏极结构的横向距离。

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