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龙图腾网恭喜汉磊科技股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN221727118U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202322627491.X，技术领域涉及：H01L29/06；该实用新型半导体装置是由刘原良;陈彦彰;张元洲;李宜蓁设计研发完成，并于2023-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，其包括：碳化硅磊晶层、栅极氧化物层、复晶硅层、层间介电质层、凹槽、障壁层以及第一金属层。该碳化硅磊晶层具有：接面场效区；p型阱区；在该p型阱区内之第一重掺杂p型区；以及在该p型阱区之外之第二重掺杂p型区。该栅极氧化物层在该碳化硅磊晶层上；该复晶硅层在该栅极氧化物层上；该层间介电质层在该复晶硅层上；该凹槽在源极区中穿过该层间介电质层、该复晶硅层和该栅极氧化物层形成在该碳化硅磊晶层中；该障壁层在该凹槽的下表面与侧表面上，并且在该第二重掺杂p型区上；以及该第一金属层在该障壁层上。

本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：碳化硅磊晶层，其具有：接面场效区，其在栅极区中；p型阱区，其与该接面场效区接触；第一重掺杂p型区，其在该p型阱区内；以及第二重掺杂p型区，其在该p型阱区之外；栅极氧化物层，其在该碳化硅磊晶层上；复晶硅层，其在该栅极氧化物层上；层间介电质层，其在该复晶硅层上；凹槽，其在源极区中穿过该层间介电质层、该复晶硅层和该栅极氧化物层形成在该碳化硅磊晶层中；障壁层，其在该凹槽的下表面与侧表面上，并且在该第二重掺杂p型区上；以及第一金属层，其在该障壁层上。

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