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龙图腾网恭喜天津三安光电有限公司申请的专利发光二极管、二极管封装体及发光装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN221727143U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202323211298.4，技术领域涉及：H01L33/38；该实用新型发光二极管、二极管封装体及发光装置是由王进;尹涛涛;郭桓卲;彭钰仁;蔡坤煌;吴超瑜;王笃祥设计研发完成，并于2023-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管、二极管封装体及发光装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管、二极管封装体及发光装置，发光二极管包括半导体叠层，具有相对的第一表面和第二表面，第一表面上包含共晶区域和出光区域，自第一表面至第二表面包含依次堆叠的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；第一焊盘电极形成于半导体外延叠层的第一表面的共晶区域，与第一类型半导体层电连接；第二焊盘电极形成于半导体外延叠层的第一表面的共晶区域，与第二类型半导体层电连接；第一焊盘电极覆盖半导体叠层的第一侧壁，第一侧壁在第一表面所在平面的投影面积由第一表面至第二表面方向逐渐增大，避免了第一焊盘电极因半导体叠层的侧壁的凹陷而发生断裂的情况，从而保证电极延伸的连续性。

本实用新型发光二极管、二极管封装体及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括：半导体外延叠层，具有相对的第一表面（S1）和第二表面（S2），所述第一表面S1上包含共晶区域和出光区域，自所述第一表面（S1）至第二表面（S2）包含依次堆叠的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；反射层，形成于所述半导体外延叠层的第二表面（S2）所在一侧；第一焊盘电极，形成于所述半导体外延叠层的第一表面的共晶区域，与所述第一类型半导体层电连接；第二焊盘电极，形成于所述半导体外延叠层的第一表面的共晶区域，与所述第二类型半导体层电连接；所述第一焊盘电极覆盖所述半导体外延叠层的第一侧壁，该第一侧壁在所述第一表面（S1）所在平面的投影面积，由所述第一表面（S1）至第二表面（S2）方向逐渐增大。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津三安光电有限公司，其通讯地址为：300384 天津市西青区华苑产业区海泰南道20号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。